高向芝
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种单片集成微型透镜及其制作方法
- 本发明公开了一种单片集成微型透镜，包括基板和微型透镜，其特征在于，所述微型透镜位于基板的凹坑内，其制作方法，包括以下工序：1)在基板的一面形成一凹坑；2)用回流光刻胶填充凹坑，然后涂覆顶层掩蔽用光刻胶；3)将凹坑上的光刻...
- 蔡道民李献杰曾庆明高向芝尹顺政赵永林
- 文献传递
- 基于环形谐振腔的双波长半导体激光器的研制
- 2014年
- 由于半导体环形激光器器件尺寸不再受解理面的限制,结构简单紧凑,容易集成,近年来成为集成光源领域的研究热点之一。采用MOCVD系统外延生长InAlGaAs多量子阱激光器材料,利用BCl3,Cl2和Ar刻蚀气体的ICP干法刻蚀技术和PECVD介质钝化工艺,研制了基于环形谐振腔的双波长半导体激光器样品,实现了激光光源的单片集成。该激光器由两个半径分别为200和205μm的环形谐振腔和一条脊宽为3.4μm的直波导耦合构成,两者之间的耦合间距为1.0μm,当两个环形激光器的注入电流分别为50.12和50.22 mA时,对应的激射波长为1 543.12和1 545.64 nm。改变激光器的注入电流,可调节峰值波长与波长间隔。
- 齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政高向芝
- 关键词：双波长环形激光器谐振腔单片集成耦合波导
- f_T=140GHz,f_(max)=200GHz的超高速InP DHBT被引量：2
- 2011年
- InP/InGaAs/InP DHBT具有频带宽、电流驱动能力强、线性好、相位噪声低和阈值电压一致性好等优点成为研究热点。通过优化外延材料结构设计和采用四元InGaAsP缓变层消除集电结电流阻塞效应;改进发射极-基极自对准工艺和集电区台面侧向腐蚀工艺,降低Rb和Cbc乘积;优化PI钝化工艺和空气桥互联等工艺,实现了发射极面积为2μm×10μm的自对准InP/InGaAs/InP DHBT器件,其直流增益β约为25,击穿电压BVCEO≥7 V@10μA,在VCE=4 V,Ic=10 mA下,截止频率fT=140 GHz,最高振荡频率fmax=200 GHz,优于同一外延片上的非自对准InP DHB器件,该器件将可应用于高速光通信和微波毫米波通信。
- 蔡道民李献杰赵永林刘跳高向芝郝跃
- 关键词：空气桥
- 单片集成微型透镜的制作方法
- 本发明公开了一种单片集成微型透镜的制作方法，其包括以下工序：1)在基板的一面形成一凹坑；2)用回流光刻胶填充凹坑，然后涂覆顶层掩蔽用光刻胶；3)将凹坑上的光刻胶形成一圆台状的光刻胶柱；4)去除顶层掩蔽用光刻胶；5)应用回...
- 蔡道民李献杰曾庆明高向芝尹顺政赵永林
- 文献传递
