尹顺政
- 作品数：41 被引量：32H指数：4
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术更多>>
- 长波双色Al_xGa_(1-x)As/GaAs量子阱红外探测器的研制被引量：1
- 2009年
- 介绍了长波双色AlxGa1-xAs/GaAs多量子阱红外探测器单元的设计、制作和测试。器件光敏面面积为300μm×300μm,光吸收峰值波长分别为10.8、11.6μm;采用垂直入射光耦合的工作模式,65K温度2V偏压下,两个多量子阱区的暗电流分别为4.23×10-6、4.19×10-6A;黑体探测率分别为1.5×109、6.7×109cm.Hz1/2/W;响应率分别为0.063、0.282A/W。GaAs基量子阱红外探测器(QWIP)材料生长和加工工艺成熟、大面积均匀性好、成本低、不同波段之间的光学串音小,使得AlGaAs/GaAsQWIP在制作多色大面阵方面具有明显的优势。
- 齐利芳李献杰赵永林尹顺政蔡道民李宁甄红楼熊大元陆卫
- 关键词：红外探测器长波
- 10 Gbit/s台面型InGaAs/InP pin高速光电探测器被引量：5
- 2018年
- 利用数值计算方法分析了高速光电探测器的耗尽区宽度与响应度及响应速度的关系。分析结果表明,耗尽区宽度选择应在响应度和响应速度之间折中,在响应度满足使用要求的情况下,尽量提高响应速度。利用该分析结果设计了台面型In GaAs/InP pin高速光电探测器材料结构。通过优化腐蚀工艺与钝化工艺,解决了器件腐蚀形貌和钝化问题。结合其他微细加工工艺完成了器件的制备,器件光敏区直径50μm。测试结果显示,在反向偏压为5 V时,暗电流小于1 nA,电容约为0.21 p F。此外,在1 310 nm激光辐照下,器件的响应度约为0.95 A/W,-3 dB带宽超过10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求。
- 李庆伟李伟齐利芳尹顺政张世祖
- 关键词：光电探测器INGAAS/INP响应度响应速度
- 基于环形谐振腔的多波长半导体激光器
- 本发明公开了一种基于环形谐振腔的多波长半导体激光器，属半导体激光器领域。本发明自下而上包括衬底层、缓冲层、下包层、激活层、上包层和欧姆接触层；所述激光器上设有至少由欧姆接触层与部分上包层或全部上包层共同形成的在正向偏压下...
- 齐利芳李献杰赵永林蔡道民尹顺政过帆
- AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器被引量：4
- 2014年
- 采用分子束外延(MBE)技术在蓝宝石衬底上依次生长n+GaN下电极层、i型AlxGa1-xN势垒层和n+GaN发射极层,并通过半导体微细加工技术,制作了AlGaN/GaN异质结单片集成紫外/红外双色探测器。该器件利用不同的探测机理,同时实现了红外光和紫外光探测,拓展了响应光谱的范围。红外光探测是通过AlGaN/GaN异质结界面自由电子吸收和功函数内部光致发射效应完成的,紫外光探测是通过AlxGa1-xN势垒层带间吸收完成的。对单元器件的暗电流特性、紫外及红外光谱特性进行了测试。测试结果表明,紫外响应截止波长356 nm,响应度180 mA/W,红外响应峰值波长14.5μm,响应度49 mA/W。
- 齐利芳李献杰唐卓睿尹顺政赵永林
- 关键词：紫外双色探测器异质结ALGANGAN
- 中波-长波双色量子阱红外探测器被引量：6
- 2008年
- 采用n型掺杂的AlGaAs/GaAs和AlGaAs/InGaA多量子阱材料,基于MOCVD外延生长技术,利用成熟的GaAs集成电路加工工艺,设计并制作了不同结构的中波-长波双色量子阱红外探测器(QWIP)器件,器件采用正面入射二维光栅耦合,光栅周期设计为4μm,宽度2μm;对制作的500μm×500μm大面积双色QWIP单元器件暗电流、响应光谱、探测率进行了测试和分析。在-3V偏压、77K温度和300K背景温度下长波(LWIR)和中波(MWIR)QWIP的暗电流密度分别为0.6、0.02mA/cm2;-3V偏压、80K温度下MWIR和LWIR QWIP的响应光谱峰值波长分别为5.2、7.8μm;在2V偏压、65K温度下,LWIR和MWIR QWIP的峰值探测率分别为1.4×1011、6×1010cm.Hz1/2/W。
- 赵永林李献杰刘英斌齐利芳过帆蔡道民尹顺政刘跳
- 关键词：量子阱红外探测器暗电流密度响应光谱探测率
- AlGaN基日盲型紫外探测器的研制被引量：3
- 2008年
- 采用MOCVD方法在(0001)蓝宝石衬底上生长了高铝组分AlGaN材料,研制出日盲型AlGaNpin紫外探测器。介绍了器件的制备工艺,并对该器件进行了光电性能测试。测试结果表明,器件的正向开启电压约为4.6V,零偏动态电阻为1012～1013Ω,常温下,该器件在10V反向偏压下的暗电流约为15nA,响应峰值波长为275nm,日盲区/可见盲区响应比接近103。
- 尹顺政李献杰蔡道民刘波冯志宏
- 关键词：日盲紫外探测器刻蚀
- 光通信用InGaAs/InP雪崩光电二极管被引量：1
- 2016年
- 针对InGaAs/InP雪崩光电二极管（APD）器件结构,介绍了本地电场模型在器件设计上的应用。采用数值计算的方法,导出了吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离的（SAGCM）APD的电场分布。基于本地电场模型讨论了不同器件结构参数对器件穿通电压、击穿电压、倍增因子等特性的影响,实验结果与模拟结果相吻合,表明此方法可以用于器件的结构设计优化及特性分析。在此方法指导下,制作出了SAGCM APD。测试结果表明器件穿通电压小于30V,击穿电压小于45V,在倍增因子为1时,器件响应度大于0.9A/W,在倍增因子为10时,器件暗电流小于10nA,在倍增因子为5-12时,-3dB带宽均大于3GHz,其性能满足2.5Gbit/s光纤通信应用要求。
- 尹顺政齐利芳赵永林张豫黔车向辉张宇
- 关键词：雪崩光通信
- GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制被引量：4
- 2008年
- 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结构,二者用多孔SiO2实现热隔离。制作了紫外红外双色集成探测器测试单元和1×32和1×64线列线列器件。测试单元器件紫外和红外有源区面积均为500μm×500μm,紫外探测部分峰值波长360nm,截止波长370nm,响应度0.08A/W;BST薄膜热释电系数为1×10-6C.cm-2K-1,红外热释电探测部分电压响应率为9.14V/W,黑体探测率D为4.37×105cm.Hz1/2.W-1。
- 李献杰赵永林齐丽芳尹顺政蔡道民吴传贵张万里李言荣
- 关键词：紫外双色探测器热释电钛酸锶钡
- InP微透镜的设计与制作被引量：2
- 2018年
- 高速光电探测器采用芯片背面带微透镜的背入射结构,利用微透镜对光的汇聚提高芯片与光纤的耦合效率。软件模拟发现,光敏面直径为30μm的芯片采用背入射结构时,其等效光敏面直径大于50μm,并且透镜拱高为8～15μm时,能更好实现对光的汇聚。对于InP微透镜的制作,首先要制作出透镜形状的光刻胶胶型,然后通过电感耦合等离子体（ICP）刻蚀将光刻胶图形转移到InP衬底上。光刻胶坚膜温度与坚膜时间对光刻胶形成透镜形状有很大影响。通过优化条件,150℃坚膜3 min的光刻胶呈规则透镜形状,并且表面光滑无褶皱。通过调节反应离子刻蚀（RIE）功率和ICP功率找到了合适的InP刻蚀速率,调节Cl2和BCl3的体积流量比改变了InP和光刻胶的刻蚀选择比,从而制作出不同拱高的微透镜。
- 李庆伟尹顺政宋红伟张世祖蒋红旺
- 关键词：微透镜高速光电探测器
- 紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器
- 本发明适用于光探测器技术领域，提供了一种紫外光电探测器的制备方法及紫外光电探测器，该制备方法包括：在预设衬底上依次生长缓冲层、P型欧姆接触层、倍增层、电荷层、吸收层以及N型欧姆接触层；光刻刻蚀倍增层、电荷层、吸收层以及N...
- 侯钧杰尹顺政
- 文献传递
