王帅
- 作品数：33 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程交通运输工程机械工程更多>>
- 利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率被引量：6
- 2014年
- 利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线。在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,且热氧化还可减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可提高转换效率。通过测试实际电池的量子效率曲线对仿真进行验证,说明了器件仿真的准确性。
- 邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏叶舟
- 关键词：发射极仿真
- InP基平衡探测器集成芯片及其制备方法
- 本发明提供了一种InP基平衡探测器集成芯片及其制备方法，可以应用于光电子技术领域。包括：衬底；多模干涉耦合波导区，位于所述衬底之上，用于耦合信号光和本征光并实现功率均分，得到均分相干光信号；平衡探测器区，位置于所述衬底之...
- 郑煜韩勤叶焓王帅耿立妍褚艺渺肖帆
- InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究被引量：2
- 2018年
- InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战。通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(V_(break))、暗计数率(DCR)和单光子探测效率(PDE)的影响,将APD阵列面元间击穿电压波动控制在±1V以内,使暗计数率和光探测效率的波动小于10%,从而得到不同温度下各个结构参数的最大允许波动值,确定了每个温度下制约器件性能的主要因素,为大规模、高性能盖革模式雪崩光电二极管阵列的材料生长和工艺制备提供了理论依据。
- 侯丽丽韩勤王帅王帅
- 关键词：盖革模式INGAAS/INP雪崩光电二极管阵列均匀性
- 磷化铟基波导探测器及其制备方法
- 一种磷化铟基波导探测器及其制备方法，该探测器包括：磷化铟衬底；沉积于所述磷化铟衬底上的外延结构层，外延结构层包括：第一欧姆接触层，形成于磷化铟衬底上；强化吸收层，形成于第一欧姆接触层上，强化吸收层形成包层‑吸收层‑包层结...
- 肖帆韩勤叶焓王帅肖峰褚艺渺
- 用于1550nm光子检测的InGaAs/InP单光子雪崩二极管的温度相关性被引量：2
- 2021年
- 在越来越多的光子计数应用中,用于近红外光波长领域的单光子探测器受到广泛关注。例如在量子信息处理、量子通信、3D激光测距(LiDAR)、时间分辨光谱等光子计数应用领域。文中设计并展示了用于探测1 550 nm波长光子的InGaAs/InP单光子雪崩二极管(SPAD)。这种SPAD采用分离吸收、过渡、电荷和倍增区域结构(SAGCM),在盖革模下工作时具有单光子灵敏度。SPAD的特性包括随温度范围223~293 K变化的击穿电压、暗计数率、单光子检测效率和后脉冲概率。25μm直径的SPAD显示出一定的温度相关性,击穿电压随温度的变化率约为100 mV/K。当SPAD在盖革模式下温度为223 K工作时,在暗计数率为4.1 kHz,后脉冲概率为3.29%的基础上,对1 550 nm光子实现了21%的单光子探测效率。文中还分析和讨论了SPAD温度相关性的单光子探测效率、暗计数率和后脉冲概率的来源和物理机制。这些机制分析、讨论和计算可以为SPAD的设计和制备提供更多的理论支持和依据。
- 王帅韩勤韩勤耿立妍陆子晴肖峰肖帆
- 关键词：单光子探测器
- 一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种非制冷热电偶红外探测器及其制备方法，该非制冷热电偶红外探测器由下至上依次包括：在硅衬底上热氧化得到的氧化硅薄层，沉积在氧化硅薄层上的高塞贝克系数金属层；具有热隔离作用的热绝缘层；高红外辐射吸收的黑硅材料层...
- 李辛毅韩培德毛雪胡少旭王帅范玉杰
- 文献传递
- 相干探测器芯片及其制备方法
- 本公开提供一种相干探测器芯片，包括：衬底，为芯片基底，包括第一衬底区、第二衬底区，以及位于第一衬底区和第二衬底区之间的第三衬底区；无源区域，位于第一衬底区上，自下而上依次包括：第一下包层、第一波导芯层、以及上包层；无源区...
- 叶焓韩勤陆子晴王帅肖峰肖帆
- 一种高倍聚光硅太阳电池及其制备方法
- 本发明公开了一种高倍聚光硅太阳电池，其包括：钝化减反膜；第一掺杂层，其制作在钝化减反膜下表面的中间部位；顶层硅，其制作在第一掺杂层的下表面；第二掺杂层，其制作在顶层硅的一侧面，其端部覆盖第一掺杂层一端的下表面；第三掺杂层...
- 邢宇鹏韩培德王帅梁鹏
- 文献传递
- 一种磷化铟基光学混频器及其制备方法
- 本发明公开了一种磷化铟基光学混频器及其制备方法，该混频器包括一外延片器件层，形成于一磷化铟衬底之上，用于实现混频；一二氧化硅上包层，形成于所述外延片器件层之上，用于保护外延片器件层，并提高外延片器件层稳定性；以及一金属薄...
- 陆子晴韩勤叶焓王帅肖峰
- 文献传递
- 正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法
- 本公开提供了一种正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列及其制备方法，其中正入射盖革模式雪崩探测器焦平面阵列自下而上顺次包括：第二电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层；所述保护层上设置有多个电极窗口，每个所...
- 王帅韩勤叶焓陆子晴肖锋肖帆
- 文献传递
