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袁方

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇电子电信

主题

  • 13篇存储器
  • 7篇电流
  • 7篇存储器阵列
  • 5篇兼容性
  • 5篇串扰
  • 5篇存储阵列
  • 4篇阵列
  • 4篇阵列结构
  • 4篇相变
  • 4篇介质层
  • 4篇掺杂
  • 4篇大电流
  • 3篇电极
  • 3篇堆叠
  • 3篇多值
  • 3篇擦除
  • 3篇衬底
  • 3篇存储密度
  • 3篇存储器件
  • 2篇电路

机构

  • 22篇清华大学

作者

  • 22篇袁方
  • 17篇潘立阳
  • 9篇张志刚
  • 4篇许军
  • 2篇谯凤英
  • 1篇沈延钊
  • 1篇玉虓
  • 1篇伍冬

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 5篇2013
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2005
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
提高低功耗电流源阵列中电流匹配精度的研究
2011年
针对低功耗阵列中电流型D/A转换器的电流匹配精度进行研究。通过模拟校准技术和高精度RGC电流镜的使用,减小了阵列中工艺参数、温度、电学特性等因素的差异对电流匹配精度的影响。在Chartered 0.35μm工艺下,利用Hspice进行仿真。结果表明,在10nA到1μA电流范围内,系统匹配精度大于96.5%,静态功耗低于213μW,有效提高了电流的匹配精度。
汤英袁方伍冬沈延钊许军
关键词：D/A转换器自校准电流镜
浮栅型阻变存储单元结构及其操作方法
本发明提出一种浮栅型阻变存储单元结构及其操作方法，该浮栅型阻变存储单元结构包括：半导体衬底；形成在半导体衬底之下的背电极；形成在半导体衬底之上的隧穿介质层；形成在隧穿介质层之上的浮栅；形成在浮栅之上的阻变存储介质层；以及...
袁方张志刚
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一写多读式存储器件及其制造方法
本发明提供一种一写多读式存储器件及其制造方法。该存储器件包括：上电极；下电极；和形成在所述上电极和下电极之间的高k介质层。其中，所述高k介质层即为存储信息的物理层。根据本发明实施例的一写多读式存储器件具有良好的存储性能，...
袁方张志刚潘立阳许军
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半导体器件间隔离结构及其形成方法
本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻...
潘立阳谯凤英袁方
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WebGIS技术在军队储备房地产管理信息系统中的应用
袁方
关键词：军事地理信息系统可视化
半导体器件间隔离结构及其形成方法
本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻...
潘立阳谯凤英袁方
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一种三维存储器阵列结构及其制造方法
本发明提供一种三维存储器阵列结构及其制造方法，该三维存储器阵列由基于相互串联的栅控PNPN垂直选择管和阻变或相变单元的存储单元在三维空间衍生形成。通过具有高开关电流比的存储单元，有效改善存储阵列操作时的相邻单元之间的串扰...
潘立阳袁方
一种存储单元的擦除方法
根据本发明实施例的存储单元的擦除方法，所述存储单元为电荷俘获型快闪存储单元，包括以下步骤：在栅极上加入预定时间宽度的负值渐变脉冲电压，其中，所述负值脉冲电压在脉冲期间内从第一负电压值渐变到第二负电压值，所述第一负电压值的...
潘立阳袁方玉虓
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一种阻变存储器存储单元的多值操作方法
本发明提出一种阻变存储器存储单元的多值操作方法，通过综合调节存储单元的编程限制电流和擦除截止电压以实现多值存储。其中，通过对存储单元施加擦除电压和编程限制电流以实现存储单元的较低阻值状态，其中编程限制电流数值越大，存储单...
袁方张志刚潘立阳
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一种垂直选择管以及由其形成的存储单元
本发明提供一种垂直选择管，包括形成在上电极和下电极之间的依次垂直堆叠的第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层，其中，第一半导体层和第三半导体层为第一类型掺杂，第二半导体层和第四半导体层为第二类型掺杂，在第...
潘立阳袁方
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