谯凤英
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 闪存高压电路的总剂量辐射效应研究
- 2014年
- 研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应(TID)。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究,表明辐照后高压通路相关的存储阵列及高压晶体管漏电将造成电荷泵电路的负载电流过载失效,最终导致闪存电路编程或擦除操作失效。
- 杨大为刘利芳谯凤英陆虹潘立阳
- 关键词：闪存高压电路电荷泵总剂量辐射
- 半导体器件间隔离结构及其形成方法
- 本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻...
- 潘立阳谯凤英袁方
- 文献传递
- 非挥发性电荷俘获存储器设计及其电离辐射可靠性研究
- 宇宙环境中存在的总剂量辐射及单粒子辐射会导致闪存芯片存储单元信息丢失和闪存芯片功能失效。基于分立电荷存储机制的电荷俘获型SONOS存储器件与传统浮栅器件相比具有更好的抗辐射能力，在空间环境中具有广阔的应用前景。本论文对S...
- 谯凤英
- 关键词：总剂量效应
- 文献传递
- 半导体器件间隔离结构及其形成方法
- 本发明提出一种半导体器件间隔离结构及其形成方法，其中，该结构包括：衬底，衬底的顶部表面包括具有第一掺杂区域和第二掺杂区域；半导体器件单元阵列，其中每个半导体器件单元为第一类半导体器件单元或第二类半导体器件单元；形成在相邻...
- 潘立阳谯凤英袁方
- 文献传递
- 嵌入式闪存适用的新型低压高效率电荷泵电路被引量：1
- 2011年
- 随着片上系统(SoC)电源电压的降低,嵌入式快闪存储器内部电荷泵电路的电压增益不断下降。为提高低电源电压下电荷泵电路的效率,提出了一个基于两路互补结构的高效率电荷泵电路,并设计了栅压提高电路与衬底调节电路,二者的共同作用可以有效地减少传输电压的损失,提高电荷泵电路的电压增益。模拟结果表明:当电源电压为1.5V时,相比于传统的电路结构,所提出的电荷泵电路电压增益有很大的提高。该电路特别适用于低电源电压下工作的嵌入式快闪存储器。
- 王雪强伍冬谯凤英潘立阳张志刚周润德
- 关键词：电荷泵电路设计低电压嵌入式闪存
- 基于SOI-SONOS存储器的高速辐照加固灵敏放大器设计被引量：2
- 2010年
- 总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储器中的高速、辐照加固的新型灵敏放大器.该电路中采样反相器和参考支路采用电路补偿技术,以达到抗辐照效果.双支路预充技术用于提高读取速度.仿真结果表明灵敏放大器中采样反相器噪声容限,以及参考电流基本不受辐照引起的阈值电压漂移的影响.此外,辐照后新型灵敏放大器电路延迟时间仅为9.16ns,与传统单支路预充结构相比,延迟时间缩短27%.
- 李侃伍冬王雪强谯凤英邓宁潘立阳
- 关键词：SONOS灵敏放大器总剂量辐照辐照加固
