何云
- 作品数:3 被引量:20H指数:3
- 供职机构:华中师范大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金:武汉市重大项目纳米专项基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术化学工程更多>>
- 原位生成法制备单分散的纳米氧化锌分散液被引量:10
- 2005年
- 用ZnCl2作原料,PVP作分散剂,在160℃下采用原位生成法制得单分散、具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米单晶分散液,用透射电子显微镜、X射线衍射、紫外/可见分光光度计等测试手段对其进行了表征。讨论了工艺条件对纳米ZnO尺寸和形貌的影响,并对其生长机理做了初步探讨。
- 白凡飞贺平贾志杰黄新堂何云
- 关键词:ZNOPVP原位生成法单分散
- 温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响被引量:3
- 2007年
- 以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明:温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10~15 nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散.并对生长机理做了初步探讨.
- 白凡飞何云贺平贾志杰
- 关键词:无机非金属材料水热法温度控制
- 掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究被引量:7
- 2007年
- 以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO(SnO2∶F)纳米粉。在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉。应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征。结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率。当r(Sn∶F)为10∶3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm。
- 何云白凡飞贺平贾志杰谭铭
- 关键词:半导体技术纳米粉低电阻率共沉淀法