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贺平

作品数:5 被引量:25H指数:3
供职机构:华中师范大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:武汉市重大项目纳米专项基金湖北省科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 3篇纳米
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇纳米粉
  • 1篇单分散
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电性能
  • 1篇电性能研究
  • 1篇电阻率
  • 1篇氧化锌
  • 1篇氧化铟
  • 1篇原位生成法
  • 1篇温度
  • 1篇温度控制
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇纳米氧化锌
  • 1篇高压釜

机构

  • 5篇华中师范大学

作者

  • 5篇贾志杰
  • 5篇贺平
  • 3篇白凡飞
  • 3篇黄新堂
  • 3篇何云
  • 2篇张贤高
  • 1篇谭铭

传媒

  • 3篇电子元件与材...
  • 1篇粉末冶金工业
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 2篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
ITO纳米粉的低温制备被引量:3
2004年
介绍了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法.将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜,在300℃、2 MPa的条件下就可制得5~20 nm的ITO纳米粉.用XRD、TEM分析ITO纳米粉的形貌为纺锤状,结晶状况良好,更有利于制备高致密度靶材.与其它方法相比,本方法反应条件柔和,反应温度降低了约200℃.
张贤高贺平贾志杰黄新堂
关键词:铟锡氧化物水热法
原位生成法制备单分散的纳米氧化锌分散液被引量:10
2005年
用ZnCl2作原料,PVP作分散剂,在160℃下采用原位生成法制得单分散、具有良好晶体结构和规则外形的ZnO纳米单晶分散液,用透射电子显微镜、X射线衍射、紫外/可见分光光度计等测试手段对其进行了表征。讨论了工艺条件对纳米ZnO尺寸和形貌的影响,并对其生长机理做了初步探讨。
白凡飞贺平贾志杰黄新堂何云
关键词:ZNOPVP原位生成法单分散
氧化铟纳米粉的低温制备被引量:2
2004年
本文探讨了一种ITO纳米粉的低温、易于量产的制备方法。将铟锡氢氧化物置于充满氩气的高压釜内,在300℃、2MPa的条件下就可制得ITO的纳米颗粒。用XRD、透射电镜分析ITO纳米颗粒的形貌和粒径以及结晶状况。与其他方法进行对比,本方法反应条件更加柔和,且可以达到量产,有利于推广应用。
张贤高贺平贾志杰黄新堂
关键词:铟锡氧化物高压釜
温度控制对ATO纳米分散液水热生长的影响被引量:3
2007年
以SnCl4·5H2O和SbCl3的共沉淀氢氧化物为原料,在水热过程中采用温度控制、分段加热的方法,制备了单分散的ATO纳米分散液.用XRD、TEM、X射线能量散射谱(EDS)和压片测电阻等方法,对ATO纳米粉进行了表征.结果表明:温度控制、分段加热的水热法,可以一步合成粒径为10~15 nm,高比表面积、分散性好的ATO纳米晶导电粉体,在低温短时的条件下,同时实现了氧化物的掺杂和分散.并对生长机理做了初步探讨.
白凡飞何云贺平贾志杰
关键词:无机非金属材料水热法温度控制
掺氟二氧化锡纳米粉的制备及电性能研究被引量:7
2007年
以SnCl2·2H2O、HF为原料,采用共沉淀法合成了掺氟二氧化锡FTO(SnO2∶F)纳米粉。在氧化的过程中进行掺杂,使F原子更容易取代O原子,在400℃低温下蒸发得到了低电阻率的FTO纳米粉。应用SEM、XRD、EDS和压片测电阻等方法,对所获粉体进行了表征。结果表明,F的掺杂明显降低了SnO2的电阻率。当r(Sn∶F)为10∶3时,FTO纳米粉的电阻率最低,为57.2Ω/cm。
何云白凡飞贺平贾志杰谭铭
关键词:半导体技术纳米粉低电阻率共沉淀法
共1页<1>
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