您的位置： 专家智库 > >

方慧

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：理学动力工程及工程热物理更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电池
  • 1篇性能分析
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇太阳电池

机构

  • 1篇清华大学
  • 1篇北京太阳能研...

作者

  • 1篇吴茵
  • 1篇朱静
  • 1篇宋爽
  • 1篇彭奎庆
  • 1篇许颖
  • 1篇方慧

传媒

  • 1篇太阳能学报

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
硅纳米线阵列太阳电池的性能分析被引量：5
2010年
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300～1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%。倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池。
方慧彭奎庆吴茵宋爽许颖朱静
关键词：太阳电池少数载流子寿命
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0