您的位置: 专家智库 > >

吴茵

作品数:7 被引量:17H指数:2
供职机构:清华大学材料科学与工程系先进材料教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:动力工程及工程热物理理学更多>>

文献类型

  • 4篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇动力工程及工...
  • 1篇理学

主题

  • 4篇硝酸
  • 3篇电池
  • 3篇量子
  • 3篇量子点
  • 3篇量子点阵列
  • 3篇硅锗
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇镀银
  • 2篇真空蒸镀
  • 2篇太阳电池
  • 2篇氢氟酸
  • 2篇轴向
  • 2篇线阵列
  • 2篇硝酸镍
  • 2篇硝酸铁
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米线
  • 2篇纳米线阵列
  • 2篇化学镀

机构

  • 7篇清华大学
  • 2篇北京太阳能研...

作者

  • 7篇吴茵
  • 6篇朱静
  • 4篇彭奎庆
  • 2篇黄智鹏
  • 2篇方慧
  • 2篇许颖
  • 1篇胡崛隽
  • 1篇宋爽
  • 1篇方慧

传媒

  • 2篇太阳能学报

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
硅和硅基纳米结构阵列的制备及其应用研究
吴茵
关键词:光致发光性能太阳能电池
硅纳米线阵列的制备及其光伏应用被引量:14
2006年
采用金属催化化学腐蚀方法在单晶硅片表面可以制备出大面积排列整齐、与原始硅片取向一致的硅纳米线阵列,得到的硅纳米线单晶性好、轴向可控且掺杂浓度不受掺杂类型和晶向的影响。基于此,我们成功制备了大面积硅纳米线p-n结二极管阵列。此外,硅纳米线阵列结构具有优异的减反射性能,探索了其在太阳电池中的应用。目前初步研制出了基于硅纳米线阵列的新型太阳电池,获得了最高为9.23%电池效率。同时也研究了限制硅纳米线阵列太阳电池转换效率的主要因素,为以后的应用做了前期的探索工作。
吴茵胡崛隽许颖彭奎庆朱静
关键词:太阳电池
单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法采用化学镀技术,在清洗过的硅片表面沉积一层金属银或者金纳米颗粒薄膜;将表面已经沉积过银或金纳米颗粒薄膜的硅衬底浸入盛有氢氟酸和硝酸铁或者硝酸镁或硝...
彭奎庆吴茵方慧朱静
文献传递
硅纳米线阵列太阳电池的性能分析被引量:5
2010年
采用金属催化腐蚀法分别在(100)和(111)硅片表面制备出大面积垂直排列和倾斜排列的单晶硅纳米线阵列,垂直阵列在300~1000nm波段的平均反射率约为2.5%,倾斜阵列在该波段的平均反射率约为5%。基于垂直阵列和倾斜阵列制作的硅纳米线阵列太阳电池的最高转换效率分别为9.31%和11.37%。倾斜阵列电池的串联电阻比垂直阵列电池有所减小,使电池填充因子增大,性能有所提升。载流子复合是硅纳米线阵列太阳电池中电学损失的主导,使电池性能明显低于常规单晶硅电池。
方慧彭奎庆吴茵宋爽许颖朱静
关键词:太阳电池少数载流子寿命
硅和硅锗量子点阵列的制备方法
硅和硅锗量子点阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯...
黄智鹏吴茵朱静
文献传递
硅和硅锗量子点阵列的制备方法
硅和硅锗量子点阵列的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法将硅片或沉积有硅锗薄膜的硅片依次经过丙酮振荡清洗、酒精振荡清洗、Piranha溶液和RCA溶液处理;然后将质量百分比浓度范围为0.01%-0.9%的聚苯乙烯...
黄智鹏吴茵朱静
文献传递
单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法
单一轴向排布的单晶硅纳米线阵列制备方法,属于纳米材料制备技术领域。所述方法采用化学镀技术,在清洗过的硅片表面沉积一层金属银或者金纳米颗粒薄膜;将表面已经沉积过银或金纳米颗粒薄膜的硅衬底浸入盛有氢氟酸和硝酸铁或者硝酸镁或硝...
彭奎庆吴茵方慧朱静
文献传递
共1页<1>
聚类工具0