您的位置： 专家智库 > >

陈茗

作品数：14 被引量：5H指数：2
供职机构：浙江大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理交通运输工程轻工技术与工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇经济管理
  • 1篇建筑科学
  • 1篇轻工技术与工...
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 8篇静电放电
  • 8篇可控硅
  • 5篇电压
  • 5篇电压值
  • 5篇静电
  • 5篇ESD
  • 3篇电流
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇有效面积
  • 3篇芯片
  • 3篇静电防护
  • 2篇商务
  • 2篇商务名片
  • 2篇专用芯片
  • 2篇红外
  • 2篇版图
  • 1篇电路
  • 1篇电子名片

机构

  • 14篇浙江大学
  • 1篇中铁第四勘察...
  • 1篇中国计量大学
  • 1篇杭州富阳城市...

作者

  • 14篇陈茗
  • 10篇韩雁
  • 8篇董树荣
  • 8篇崔强
  • 8篇杜宇禅
  • 8篇杜晓阳
  • 8篇洪慧
  • 8篇张吉皓
  • 8篇曾才赋
  • 8篇霍明旭
  • 8篇黄大海
  • 8篇斯瑞珺
  • 1篇陈萍
  • 1篇郭昊蔚
  • 1篇朱凯
  • 1篇楚强

传媒

  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇中国计量大学...
  • 1篇浙江省电子学...

年份

  • 2篇2024
  • 1篇2019
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 4篇2007
  • 2篇2006
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+...
曾才赋韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅杜晓阳洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种红外名片交换专用芯片的设计
2006年
该文给出一种专用于电子化商务名片交换和管理的红外数据通信芯片的研制,芯片采用点对点红外通信技术传输电子名片信息,结合系统集成方法,增强了信息交换的安全性和通讯质量,并提高了电子名片交换和管理的效率。芯片采用0.6μm CMOS工艺(双阱、双层多晶硅、双层金属)流片,并进行封装和测试。
陈茗韩雁
关键词：商务名片专用芯片
装配式预制构件生产基地建设的研究
装配式建筑是未来建筑行业发展的趋向，本身具有环保、节能、保证工程质量、提高生产效率、降低企业成本等特点。作为国家在全国全面大力推广的一种建筑形式，自2015年以来国家相关部门密集出台各种相关发展性纲要、指导性意见、强制性...
陈茗
关键词：建筑行业
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种静电放电防护电路
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
杜晓阳韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
专用于电子名片交换和管理的红外数据通信芯片的研制
本文的内容是一种专用于电子名片交换和管理的红外数据通信芯片的自主研制，文中从系统的角度对芯片设计思想进行了说明，并详细介绍了电路的设计方案和版图的实现以及测试结果。 在经济发达、商务活动频繁的现代社会，人们要保...
陈茗
关键词：专用集成电路红外通信电子名片
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0