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黄大海

作品数：37 被引量：7H指数：2
供职机构：浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所更多>>
发文基金：浙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 11篇电子电信

主题

  • 19篇可控硅
  • 17篇静电放电
  • 13篇多晶
  • 13篇多晶硅
  • 9篇电压
  • 9篇电压值
  • 8篇静电
  • 8篇ESD
  • 7篇电路
  • 7篇氧化层
  • 6篇电流
  • 6篇静电防护
  • 6篇衬底
  • 6篇触发
  • 5篇有效面积
  • 5篇集成电路
  • 4篇电学
  • 4篇多晶硅栅
  • 4篇信号
  • 4篇源极

机构

  • 37篇浙江大学

作者

  • 37篇黄大海
  • 35篇韩雁
  • 32篇董树荣
  • 22篇霍明旭
  • 17篇崔强
  • 17篇杜晓阳
  • 15篇宋波
  • 15篇李明亮
  • 10篇苗萌
  • 10篇马飞
  • 8篇杜宇禅
  • 8篇洪慧
  • 8篇张吉皓
  • 8篇曾才赋
  • 8篇斯瑞珺
  • 8篇陈茗
  • 5篇丁扣宝
  • 5篇刘俊杰
  • 3篇马绍宇
  • 2篇常欣

传媒

  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学
  • 1篇杭州电子科技...
  • 1篇浙江省电子学...
  • 1篇浙江省电子学...

年份

  • 1篇2013
  • 3篇2012
  • 5篇2011
  • 9篇2010
  • 4篇2009
  • 6篇2008
  • 9篇2007
共 37 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，由漏极连接核心电路的输入出端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联，漏极连接GCNMOS管的栅极，源极和衬底...
宋波韩雁董树荣马飞黄大海李明亮苗萌
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一种内嵌NMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌NMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设置N阱和P阱，N阱和P阱的交界处上方横跨有NMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，P阱上依次设有第一P+注入区、第一浅壕沟隔离和第一N+注入区；...
马飞韩雁董树荣黄大海宋波李明亮苗萌
一种静电放电防护电路
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
杜晓阳韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
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一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
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一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
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一种内嵌PMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌PMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底及其上方的置P阱和N阱，P阱和N阱交界处上方横跨有PMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，N阱上依次设有第一浅壕沟隔离，第一N+注入区、第二浅壕沟隔离和第一P...
马飞韩雁董树荣黄大海宋波李明亮苗萌
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一种网格状静电放电防护器件
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在P型衬底上的P阱内设置有多个平面阵列排列的N+注入区，沿每个N+注入区的四...
霍明旭崔强韩雁刘俊杰董树荣黄大海徐向明
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一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管
本发明公开了一种动态栅极电阻调制的栅极耦合NMOS管，用于核心电路的ESD防护，由漏极连接核心电路的输入出端，源极和衬底直接接地，栅极通过一电阻接地的GCNMOS管以及与电阻并联，漏极连接GCNMOS管的栅极，源极和衬底...
宋波韩雁董树荣马飞黄大海李明亮苗萌
一种内嵌NMOS辅助触发可控硅结构
本发明公开了一种内嵌NMOS辅助触发可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设置N阱和P阱，N阱和P阱的交界处上方横跨有NMOS的栅氧以及位于栅氧上方的多晶硅栅，P阱上依次设有第一P+注入区、第一浅壕沟隔离和第一N+注入区；...
马飞韩雁董树荣黄大海宋波李明亮苗萌
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集成电路ESD全芯片防护电路
本发明公开了一种集成电路的片上ESD全芯片防护电路，它包括电源箝位单元(14)、RealVDD外部电源总线(30)和Real VSS外部电源总线(31)分别与核心电路(15)的芯片引脚焊盘直接相连接，VirtualVDD...
李明亮董树荣杜晓阳韩雁霍明旭黄大海宋波
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