石金川
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：上海交通大学更多>>
- 发文基金：上海-AM基金上海市科委纳米专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 基于MEMS技术的钛酸锶钡铁电薄膜及可调电容器研究
- 随着无线通讯技术的迅速发展，人们对无线通讯终端设备的需求趋向于微型化。同时，人们对无线通讯的带宽要求更高，因此需要更高的通讯频率。然而对于高频信号而言，分立器件间存在着较多的寄生效应，且占据较大的空间。这些因素给设计、应...
- 石金川
- 关键词：MEMS技术可调电容器介电性能铁电薄膜介电常数介电损耗
- 文献传递
- 溅射工艺对LaNiO_3薄膜结构的影响被引量：2
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过原位加热或后续热处理使薄膜晶化。借助X-ray衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,溅射时是否加热对薄膜的结晶取向影响很大,而氧分压则影响La/Ni比。衬底不加热时,通过后续热处理得到多晶的随机取向薄膜,而当溅射时原位加热300℃,则得到有明显(100)择优取向的薄膜。
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- 关键词：沉积温度
- 溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用射频磁控溅射法在Si（100）衬底上制备了LaNiO3薄膜。通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率。借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响。实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化。溅射氧分压在10%-25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜。
- 张丛春杨春生石金川丁桂甫
- 关键词：磁控溅射LANIO3显微结构电阻率
- 镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法
- 一种镍酸镧导电金属氧化物纳米薄膜的制备方法，该方法包括：一、靶材的制备，即首先把分析纯的Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>氧化物粉末以1∶1的比...
- 张丛春王亚攀石金川杨春生
- 文献传递
- LaNiO_3缓冲层对Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3薄膜微结构和介电性能的影响
- 2009年
- 利用射频磁控溅射法,在Pt/Ti/SiO2/Si和LaNiO3/Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Ba0.5Sr0.5TiO3薄膜.采用X-ray衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）,研究了两种衬底上BST薄膜样品的结晶性和表面形貌.结果表明：BST薄膜材料均为钙钛矿相,直接生长在硅衬底上的BST薄膜无择优取向,晶粒尺寸为20-30 nm,而LaNiO3缓冲层上生长的BST薄膜则为（100）择优取向,晶粒尺寸约为150-200 nm.室温下测试了薄膜的介电性能.研究结果表明,LNO缓冲层显著提高了BST薄膜的介电常数和介电可调率.
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- 关键词：钛酸锶钡薄膜射频磁控溅射介电性能
- 一种新型的全局互连结构及其加工方法
- 2007年
- 随着特征尺寸的缩小,互连成为制约集成电路性能提高和成本下降的主要因素。为了降低互连延迟,提出了一种全新的全局互连结构,即利用掩膜电镀和CMP技术形成三维的铜互连结构,再利用牺牲层技术将三维结构镂空,得到悬空的全局互连结构。该结构可大大地降低全局互连对延迟的影响。
- 张丛春刘兴刚杨春生石金川
- 关键词：牺牲层CMP
- 制备Cu互连悬空结构的新型工艺研究被引量：2
- 2007年
- 为了降低集成电路中的互连延迟,采取了一种新型的集成电路Cu互连工艺,以掩膜电镀的方法制备Cu互连的叠层结构,借鉴MEMS工艺的牺牲层技术,用浓磷酸对Al2O3牺牲层进行湿法刻蚀,不仅在互连金属间介质层而且在层内介质层都形成了以空气为介质的Cu互连悬空结构。用一种叉指测试结构对以空气和聚酰亚胺为介质的互连性能进行了比较,结果表明,采用空气介质减小了互连线耦合电容,为进一步降低集成电路的互连延迟提供了途径。
- 刘兴刚张丛春杨春生石金川
- 关键词：CU互连低介电常数电容
- 磁控溅射的TaN薄膜的扩散阻挡性能被引量：1
- 2008年
- 用反应磁控溅射方法在SiO2/Si(100)衬底和Cu薄膜间溅射一层TaN阻挡层,测试不同N气分压及热处理温度下Cu/TaN/SiO2/Si薄膜的显微结构和电阻特性。同时利用微细加工技术加工了镂空的Cu互连叉指测试结构,研究了TaN薄膜在镂空的铜互连结构中的扩散阻挡性能。结果发现,在退火温度不超过400℃时,薄膜电阻率均低于80μΩ.cm,而当溅射N分压超过10%,退火温度超过400℃时,薄膜电阻率很快上升。低N气分压下(≤10%)溅射时,即使退火温度达到600℃,薄膜电阻基本不变。
- 张丛春刘兴刚石金川杨春生
- 关键词：铜互连磁控溅射热稳定性
