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一种条纹宽度可控的激光加热制备单层石墨烯的方法: 本发明涉及一种在衬底上利用激光光束通过光栅加热方法制备条纹宽度可控的单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质，能够实现高速电子器件...; 魏志鹏王勇波李金华方铉方芳王晓华王菲谭学垒韩作良; 文献传递

慢性萎缩性胃炎中医病机与证侯、症状分布规律研究: 目的:探讨慢性萎缩性胃炎中医病机与证侯、症状分布规律,为本病证侯规范化的进一步研究提供依据。方法:对近10年来以中医药为主治疗慢性萎缩性胃炎的文献进行整理,并运用SPSS12.0软件对该病的病机与证侯、症状分布规律进行频...; 方芳丁成华程绍民石强郑绍勇张敬文冯磊王玉臣陈雪姣; 关键词：慢性萎缩性胃炎病机症状; 文献传递

一种基于扩散限制凝聚（DLA）原理制备镍、钴及其氧化物纳米结构的方法: 本发明涉及一种基于扩散限制凝聚(Diffusion-limited？Aggregation，DLA)原理，制备过渡金属镍、钴及其氧化物纳米结构的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：以镍、钴的金属片作为反应源，放置在...; 高娴陈新影方铉魏志鹏方芳李金华楚学影王晓华唐吉龙房丹王菲; 文献传递

CdS纳米粒子包覆对ZnO纳米棒发光性质的影响: 半导体材料纳米结构在制作多种光电器件如发光二极管和激光器等方面有广泛的应用前景.但是纳米材料由于表面-体积比很高,光学性质会受到表面态的强烈影响,会导发光效率低等问题.对纳米材料进行表面处理、发光机理研究十分必要.可以采...; 罗添元王相虎魏志鹏王晓华方铉李金华方芳王菲唐吉龙赵东旭

一种激光加热生长石墨烯的制作方法: 本发明涉及一种在衬底上利用激光辅助加热方法制备大面积单层石墨烯(Graphene)的方法，属于半导体新型材料技术领域。石墨烯是新型的制备电子器件和太阳能电池材料，具有较高的电子传输特性、响应频率好和较宽光波段透明度的性质...; 李金华崔勇魏志鹏方铉方芳王晓华王菲罗添元; 文献传递

扩散掺杂的p型ZnO薄膜的光学性质研究被引量：1: 2015年; 采用原子层沉积技术(atomic layer deposition)在InP衬底上生长ZnO薄膜,并在不同温度下(500和700℃)进行热退火处理,将P掺杂进入ZnO,得到p型ZnO薄膜。样品的光学特性通过光致发光光谱(photoluminescence,PL)来测定,得出热退火温度是影响P扩散掺杂的重要因素,低温PL光谱中,700℃热退火1h样品的光谱展现出四个与受主相关的发射峰:3.351,3.311,3.246和3.177eV,分别来自受主束缚激子的辐射复合(A°X)、自由电子到受主的发射(FA)、施主受主对的发射(DAP)以及施主受主对的第一纵向声子伴线(DAP-1LO),计算得到受主束缚能为122meV,与理论计算结果一致。通过热扩散方式实现了ZnO薄膜的p型掺杂,解决了制约ZnO基光电器件发展的主要问题,对ZnO基半导体材料及其光电器件的发展有重要意义。; 陈芳房丹王双鹏方铉唐吉龙赵海峰方芳楚学影李金华王菲王晓华刘国军马晓辉魏志鹏; 关键词：P型ZNO 原子层沉积光致发光

形貌依赖的ZnO阴极射线发光性质研究被引量：2: 2014年; 采用溶剂热法,通过调节水和乙醇混合液的比例制备了多种形貌的ZnO微米结构。利用扫描电子显微镜(SEM)对ZnO微米结构的形貌及尺寸进行了观察。采用可以实现纳米级微观区域光谱采集的阴极射线发光(CL)技术,对不同形貌的单个粒子的光谱进行精细表征,获得了位置依赖的ZnO阴极射线发光数据。实验结果表明:ZnO材料的发光性质与形貌有关,由于形貌差异导致其局部结晶质量、界面缺陷、表面电荷分布、表面晶面等方面的差异,几种因素共同作用决定其最终的发光性质。; 吕珊珊楚学影王记萍方芳李金华方铉魏志鹏王晓华; 关键词：ZNO 阴极射线发光形貌

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质...; 唐吉龙方铉魏志鹏高娴陈芳房丹李金华楚学影方芳王晓华王菲; 文献传递

氯离子对氧化锌纳米棒表面形貌的影响研究: 2013年; 通过在反应溶液及后续处理中分别添加氯离子的方式,即采用水热法在生长氧化锌纳米材料的反应溶液中添加氯离子、在水热法制得氧化锌纳米棒后进行氯离子腐蚀。通过对样品的表征测试与分析,得到氯离子在氧化锌生长过程中会直接影响到纳米结构的形貌,结构和光学性质的结论。; 王兴李金华方芳方铉楚学影; 关键词：氧化锌纳米棒水热法氯离子

用分子束外延（MBE）在GaSb衬底上无催化制备GaSb纳米线的方法: 本发明涉及一种用新工艺方法制备GaSb纳米线的方法，以分子束外延(MBE)为基础，使用全新方法在GaSb衬底上制备GaSb纳米线，属于纳米材料制备领域。在无催化剂、无模板的条件下利用MBE的超高真空环境，制备出高纯度优质...; 唐吉龙方铉魏志鹏高娴陈芳房丹李金华楚学影方芳王晓华王菲

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方芳