楚学影
- 作品数：92 被引量：111H指数：6
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信机械工程更多>>
- 生长温度和源氛浓度对ZnO晶体生长影响的机理分析被引量：1
- 2013年
- 利用原子层沉积(ALD)方法在Si(100)片上沉积200nm的ZnO薄层作为籽晶层,通过化学气相沉积(CVD)法常压下在籽晶层上生长ZnO晶体结构。通过X射线衍射(XRD)、场发射电子扫描显微镜(FESEM)和光致发光光谱(PL)手段对其结构形貌及光学性质进行表征,结合晶体生长机理讨论和分析影响ZnO微纳结构生长的因素。结果表明,反应源气氛浓度是影响ZnO形貌的重要因素。
- 王许杰方芳魏志鹏方铉李金华楚学影周政
- 关键词：化学气相沉积
- 过渡金属二硫化物拉曼散射在免疫检测中的应用被引量：5
- 2018年
- 为了利用可见光激发下半导体拉曼散射信号实现生物检测,以窄带隙的MoS_2材料构建了拉曼免疫标记探针,用于实现对人IgG分子的高特异性识别。首先,运用液相剥离法分别获得了MoS_2和WS_2微米材料,以加热陈化处理分析了温度对532nm激发下样品拉曼散射信号强度的影响。之后借助3-巯基丙酸修饰向MoS_2材料表面引入羧基,进而获得了可用于免疫检测的拉曼探针。最后,以"抗体-待测物-抗体"的三层结构分析了基于MoS_2拉曼散射的免疫检测性能。实验发现适当温度下加热陈化处理可增强过渡金属二硫化物的拉曼散射强度(70℃下最优)。多组对照实验结果表明,免疫检测生物芯片的拉曼信号强度随人IgG浓度的升高而升高,最终趋于饱和,最低浓度的检测限达到1fM,实现了可见光激发下利用半导体拉曼散射信号对目标分子的高灵敏度、高特异性免疫检测。
- 楚学影沙雪徐铭泽李金华金芳军
- 关键词：生物检测拉曼散射温度免疫球蛋白
- 热处理水热前驱物获得WS<Sub>2</Sub>/WO<Sub>3</Sub>空心微球的方法
- 热处理水热前驱物获得WS<Sub>2</Sub>/WO<Sub>3</Sub>空心微球的方法属于复合纳米材料技术领域。现有技术工艺复杂、过程危险、影响因素多。本发明其特征在于，首先，配制反应液：将氯化钨、硫代乙酰胺加入去...
- 楚学影周敬博都秉龙李金华徐铭泽金芳军王晓华
- 文献传递
- ZnS:Cu纳米晶晶体结构可控制备方法
- ZnS:Cu纳米晶晶体结构可控制备方法属于半导体纳米材料制备技术领域。现有技术尚未实现溶胶法制备掺杂型纤锌矿ZnS纳米晶材料。本发明其特征在于，首先，配制Zn离子前驱溶液；其次，配制Zn、Cu离子混合溶液，Cu离子的引入...
- 楚学影王欣浓李金华方铉魏志鹏徐铭泽金芳军王晓华
- 文献传递
- 一种制备p型ZnO纳米线的方法
- 本发明涉及一种基于柯肯达尔效应（Kirkendall）的扩散原理与核壳结构制备非掺杂的纳米p型氧化锌（p-ZnO）的方法，属于纳米材料技术领域。其主要过程为：在附有氧化锌籽晶的硅衬底上利用水热法生长氧化锌纳米棒阵列，然后...
- 陈新影楚学影方芳李金华魏志鹏孙韶伟王晓华
- 文献传递
- 紫外偏振敏感的CsPbBr_(3)纳米薄膜的可见光发射
- 2023年
- 为了利用可见光学元件实现对紫外偏振光的高性能探测,制备了CsPbBr_(3)纳米晶/金属线栅复合薄膜,并通过向其表面沉积Al_(2)O_(3)钝化层提高了薄膜荧光稳定性,获得了紫外激发下偏振敏感的钙钛矿纳米晶薄膜绿色荧光。测试结果表明,以高温热注入法获得的CsPbBr_(3)纳米晶为立方晶系结构,形貌呈方形,尺寸约39 nm。以紫外光激发纳米晶胶体溶液可在530 nm处观测到明显的绿色荧光。以自组装方法获得的CsPbBr_(3)纳米晶/金属线栅复合薄膜荧光发光强度随紫外激发光的偏振方向呈周期性变化,其发光偏振度约为0.54。以原子层沉积技术向此复合薄膜表面沉积Al_(2)O_(3)层可明显提高其荧光强度,钝化后复合薄膜的发光偏振度仍可达0.36。以上结果表明,表面钝化和引入金属线栅方法可分别优化钙钛矿纳米晶薄膜的荧光稳定性和荧光偏振度,所获得的紫外偏振敏感的CsPbBr_(3)纳米晶复合薄膜在紫外偏振探测以及液晶显示等领域具有重要的应用价值。
- 吉于今楚学影董旭董旭
- 关键词：表面钝化荧光增强偏振
- 形貌对ZnS微纳结构电化学电极特性影响及机制分析被引量：3
- 2017年
- 在低能耗条件下以水热法实现了对ZnS材料的形貌调控,通过扫描电子显微镜及透射电子显微镜表征证明了所获得的ZnS材料为纳米颗粒、微米块和毛线球三种形貌。X射线衍射结果表明ZnS纳米颗粒及ZnS微米块为闪锌矿结构,ZnS毛线球为纤锌矿结构。以三种形貌的ZnS材料分别构建了电化学电极,以循环伏安法和交流阻抗谱对ZnS基电极的电化学特性进行了表征。结果表明,毛线球形貌的ZnS材料较大的比表面积使得以其构建的电极中电子传导速率最快,电化学特性最为优异。
- 袁方莹楚学影李金华徐铭泽金芳军王晓华
- 关键词：ZNS水热法形貌可控电化学
- MoO_(3)覆盖层对MoS_(2)基光伏型光电探测器性能的影响
- 2023年
- 基于范德瓦耳斯力的异质结构为设计和研究高性能光电器件提供了无限的可能.本文报道了一种基于MoS_(2)/MoO_(3)的光伏型光电探测器,为了实现光伏性能,实验构建Au/MoS_(2)的非对称肖特基接触.为提高其光电性能,实验采用超薄的MoO_(3)作为覆盖层构建MoS_(2)/MoO_(3)异质结,利用MoO_(3)可见光吸收特性及良好的光透过性增加MoS_(2)材料内参与导电的电子.实验通过原子层沉积(ALD)法制备MoO_(3),并通过调控厚度来优化器件的光响应性能.研究结果表明,覆盖层MoO_(3)越薄异质结光吸收效率越高,且抑制暗电流增益的效果越显著.相比单一的MoS_(2)基光伏型光电探测器,MoS_(2)/MoO_(3)异质结器件光响应度增强近10倍,响应度高达916.121 A/W,探测率约2.74×10^(11)Jones,响应时间约73μs,有效解决平面型光伏器件响应度低的问题.本研究通过异质结构设计及其覆盖层的厚度优化,成功实现对平面型MoS_(2)基光伏器件的光电性能改善,为未来开发高性能MoS_(2)/氧化物异质结光电探测器提供参考方案.
- 王婉玉石凯熙李金华楚学影方铉匡尚奇徐国华
- 关键词：异质结
- Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响
- 2021年
- 采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制。掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的缺陷发光峰消失。
- 李想亢玉彬唐吉龙方铉房丹李科学王登魁林逢源楚学影魏志鹏
- 关键词：光谱学光致发光分子束外延
- 纳米结构二硫化钼的制备及其应用被引量：12
- 2015年
- 二硫化钼是一种典型的过渡金属二元化合物,以其独特的化学、物理性能而备受关注。本文综述了纳米二硫化钼常见的多种形貌结构,包括富勒烯状、球状、花状、线、片、棒、管状等;概述了其常用的制备方法,包括:化学气相沉积法、高温硫化法、剥离法、电化学沉积法、水热及溶剂热法等;总结了纳米结构二硫化钼在润滑、催化、光电器件等领域的研究进展,最后展望了二硫化钼材料的研究前景。
- 翟英娇李金华楚学影徐铭泽李雪方铉魏志鹏王晓华
- 关键词：二硫化钼形貌结构光电器件
