- 具有纳米线结构的电容器及其制备方法
- 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属...
- 吴东平陈玫瑰许鹏张卫张世理
- 文献传递
- 低温微波技术在栅介质中的应用研究
- 微波退火作为一种低热预算的新兴退火方式越来越受到关注。它广泛地应用于研究非晶硅结晶、硅化物形成、杂质激活等方面，并获得了许多有意义的成果。例如，在低温度下退火，杂质会被激活，而且杂质的扩散很小，形成低电阻率的硅化物，实现...
- 陈玫瑰
- 关键词：栅介质缺陷修复
- 文献传递
- 微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复被引量：1
- 2014年
- 研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度。通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度。结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复。此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱。但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势。
- 陈玫瑰许鹏潘建峰吴东平
- 关键词：缺陷修复C-V测试
- 具有纳米线结构的电容器及其制备方法
- 本发明涉及半导体工艺技术领域，公开了一种具有纳米线结构的电容器及其制备方法。在本发明中，先在衬底上形成第一导电层；然后在第一导电层上制备金属半导体化合物纳米线，构成底层金属；依次在底层金属上形成介质层、金属层，并由该金属...
- 吴东平陈玫瑰许鹏张卫张世理
- 文献传递
