高宇
- 作品数：4 被引量：15H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家科技重大专项国际科技合作重点项目计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
- 2007年
- 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热应力MM硅单晶
- 液面位置对Φ300mm硅单晶固液界面形状影响的数值计算被引量：4
- 2008年
- 数值模拟技术已经成为分析和优化工业化晶体生长工艺必不可少的工具。本文利用有限元分析软件计算了300mm直拉硅单晶生长过程中,不同液面位置时的晶体固液界面形状,模拟计算考虑了热传导、辐射、气流等物理现象,分析了晶体长度和液面位置对晶体生长界面形状的影响,得出了随着晶体长度的增加固液界面的凸度会增大的规律。
- 王学锋高宇戴小林吴志强张国虎周旗钢
- 关键词：直拉硅单晶固液界面数值模拟
- 热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析被引量：4
- 2007年
- 本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热屏
- 热场结构对直拉硅单晶生长能耗影响分析被引量：5
- 2010年
- 结合多年热场使用经验和计算机模拟技术分析了在热场结构中影响能耗的主要因素,并提出了降低能耗的有效措施,其中包括使用热屏、紧凑的热场结构及使用低热导率的保温材料。使用小口径热屏对降低能耗有显著的效果。改进热场结构:减小加热器与石墨坩埚的间距或减小加热器与保温层的间距都能有效降低直拉硅单晶生长能耗。分析了温场中其他热量的损失,提出了包括减少热场部件与炉体直连,选用低热导率的保温材料的方法可以有效降低能耗。
- 邓树军高宇姜舰戴小林吴志强刘冰
- 关键词：硅单晶能耗
