肖清华
- 作品数：28 被引量：30H指数：3
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目北京有色金属研究总院创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：9
- 2007年
- 通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
- 黄军辉周旗钢万关良肖清华库黎明
- 关键词：非均匀性DSP
- 掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
- 2007年
- 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。
- 韩海建周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：流动图形缺陷掺氮
- 质子注入单晶硅中的结构演化
- 采用离子注入技术将大量的质子引入到单晶硅中,通过透射电子显微镜和光学显微镜的观察,在注入质子的硅片中,片状缺陷导致晶格的损伤,退火过程中,质子复合成氢分子并聚集,产生巨大的内压力,在表面产生气泡和裂坑;高温退火容易使氢逸...
- 肖清华王敬屠海令
- 关键词：离子注入单晶硅低温退火高温退火
- 文献传递
- SOI材料的制备技术被引量：4
- 2002年
- SOI材料被誉为“二十一世纪硅集成电路技术”的基础。它可消除或减轻体硅中的体效应、寄生效应及小尺寸效应等 ,在超大规模集成电路、光电子等领域有广阔的应用前景。介绍了注氧隔离、智能剥离、硅片剥离及外延层转移等几种主要的制备SOI材料的方法及近期相关的研究成果。降低制造成本。
- 肖清华屠海令周旗钢王敬常青张果虎
- 关键词：SOI注氧隔离硅片键合减薄硅
- 卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤
- 2009年
- 主要研究锗离子在77 K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果,并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱(RBS)和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明,冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著,反射率降低更为明显,意味着引入的损伤更为严重,更容易使硅单晶非晶化。而且,冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置,相应的非晶层/硅单晶衬底界面有更深的推入。结果还表明,同样的注入温度下,剂量越大,损伤越严重。
- 肖清华王敬欣
- 关键词：硅锗
- Si/SiGe异质结构的硅盖层中应变对Raman谱特征的影响被引量：5
- 2005年
- 应变Si/SiGe异质结构通过大剂量Ge离子注入并结合高温快速热退火制备而成。325nm波长的紫外激光被用于调查应变Si盖层的Raman谱特征。实验发现,硅盖层中的张应变导致硅的520cm-1的一级拉曼散射峰向低频方向偏移,峰的偏移程度反映硅盖层中横向张应力的大小约为12.5×108N·m-2。硅盖层中的张应变并未导致1555和2330cm-1的次级拉曼散射峰的变化。
- 肖清华屠海令
- 关键词：SICERAMAN谱
- 纳米集成电路用硅基半导体材料
- 2003年
- 随着超大规模集成电路设计线宽向纳米尺寸过渡,对半导体硅材料的性能和参数提出了更加严格的要求。本文阐述了绝缘体上硅(SOI)和锗硅(SiGe)等主要硅基半导体材料的研究进展,讨论了这些材料应用于纳米集成电路和微电子、光电子器件的经济技术前景。
- 屠海令石瑛肖清华马通达
- 关键词：纳米集成电路绝缘体上硅锗硅SIGESOI
- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和分析
- 建立300mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程，通过实验证明了运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系，计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300...
- 黄军辉肖清华库黎明周旗钢万关良
- 关键词：硅半导体抛光技术
- 300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
- 2007年
- 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热应力MM硅单晶
- 锗基半导体材料在微纳电子学中的应用研究
- e invention of Ge semiconductor transistors starts the microelectronic revolution.A vast amount of research wo...
- 屠海令肖清华苏小平马通达魏峰杜军
