高津平
- 作品数：7 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十五研究所更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 清洗系统在晶圆减薄后的应用
- 2016年
- 根据集成电路晶圆的不同用途,分析了晶圆减薄后,残留的污染物对后续工艺的影响;提出了一种集成在减薄机内部的清洗系统,根据清洗目标,配套了完整的清洗方案。
- 刘玉倩高津平
- 关键词：晶圆
- 基于湿法清洗中快排槽节水性能的优化研究
- 2020年
- 现有的清洗设备中,当完成晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。针对这一问题,探讨了一种适用于该类工艺流程的节水设计方案。通过改进排放阀的结构,将废水排放与回收功能集成相结合,使得去离子水的利用率得到了提高,不仅节约了成本,并且避免了资源的浪费。
- 赵宏亮高津平刘建民边晓东
- 关键词：晶圆清洗
- 光刻版清洗机中浸泡腔工位设计分析
- 2020年
- 通过分析光刻版清洗机的结构特性,浸泡腔主要作为IC工艺后制程(BEOL)金属膜腐蚀剥离工艺和去胶工艺,对其中的浸泡工位设计进行了分析,提出了浸泡腔工位设计要点,并介绍了浸泡腔工作流程。
- 赵宏亮边晓东刘建民高津平
- 关键词：半导体
- 快排清洗槽中节水阀的应用分析被引量：1
- 2020年
- 在晶圆的清洗洁净过程中,利用快速排水清洗槽进行快速排水清洗法是比较常见的一种晶圆清洗方式。快速排水清洗法是先将晶圆完全浸泡于快速清洗槽的去离子水中,再快速排除清洗槽中的去离子水,用于达到清洗晶圆的目的。现有的清洗设备中,当完成对晶圆的清洗工艺后,再次利用快速排水的工艺方法会消耗大量水资源。本文针对这一问题,提出了一种适用于该类工艺流程的节水阀。
- 赵宏亮边晓东刘建民高津平
- 关键词：晶圆清洗节水阀QDR
- 清洗系统在晶圆减薄后的应用
- 2018年
- 根据集成电路晶圆的不同用途,分析了晶圆减薄后残留的污染物对后续工艺的影响,介绍了晶圆减薄机内部集成的清洗系统,并根据清洗目标,提供了一套完整的清洗方案。
- 刘玉倩高津平
- 关键词：晶圆
- 针对连续式化学镀的清洗技术
- 2013年
- 连续式化学液镀的清洗具有连续工作、用水量大的特点,特别对于镀液中含有有毒离子时,废液处理费用昂贵。针对连续式化学镀的这一特点,介绍了一种"三级溢流、六级清洗"的清洗方式,能够在保证清洗效果的同时大大降低废液的产生量。
- 刘永进张伟锋高津平
- 关键词：连续式化学镀
- 一种腐蚀清洗设备中的特异气体监测及处理
- 2017年
- 在湿法腐蚀清洗设备工艺过程中,使用盐酸和磷酸腐蚀表面材料为磷化铟的晶圆片,会产生一种有毒性的特异气体;针对这种特异气体,设计了一种对反应腔体内、设备内及室内的气体监测处理系统。
- 刘玉倩关宏武高津平宋文超
