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胡振益

作品数：3 被引量：21H指数：1
供职机构：北京航空航天大学可靠性与系统工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇点缺陷
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁继电器
  • 1篇电隔离
  • 1篇电路
  • 1篇电器
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇失效模式
  • 1篇人机
  • 1篇人机交互
  • 1篇人机交互界面
  • 1篇连接器
  • 1篇金属化
  • 1篇金属化工艺
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶化
  • 1篇军用
  • 1篇可靠性
  • 1篇控制器
  • 1篇集成电路

机构

  • 3篇北京航空航天...

作者

  • 3篇黄姣英
  • 3篇胡振益
  • 2篇武荣荣
  • 2篇高成
  • 1篇王宇飞
  • 1篇张晓雯

传媒

  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇现代电子技术

年份

  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
军用电磁继电器失效分析研究被引量：21
2013年
军用电磁继电器的可靠性要求极高,任何失效情形必须找出失效原因,进行失效归零。总结了军用电磁继电器的失效分析方法,并对贮存和使用过程中常见的失效模式及失效机理进行分析。针对机械变形、环境应力等影响电磁继电器失效的典型因素及其作用机理进行详细探讨。在此基础上,完成了两个军用电磁继电器失效的实际案例研究。最后,结合失效机理研究提出电磁继电器的可靠性改进措施。
黄姣英胡振益高成武荣荣
关键词：电磁继电器失效模式
集成电路中的晶化点缺陷分析
2014年
晶化点是集成电路金属化工艺中温度过高、合金导电性差的一种征兆,也会导致集成电路出现开路、短路等失效情形。总结了集成电路中晶化点缺陷的形成机理,对产生晶化点的工艺原因进行了探讨,并结合工程案例对晶化点缺陷导致的集成电路失效情形及有关失效机理进行了分析。最后,从工艺上提出若干改进这一缺陷的建议。
黄姣英胡振益张晓雯高成
关键词：集成电路金属化工艺可靠性
一种基于PLC的多个分离连接器的分离试验控制器
一种基于PLC的多个分离连接器的分离试验控制器，它是由可编程逻辑控制器即PLC、人机交互界面即HMI、控制指示面板、24V直流电源、光电隔离输入电路和金属氧化物半导体型场效应管即MOS驱动电路组成；可编程逻辑控制器通过R...
黄姣英胡振益武荣荣司世红王宇飞
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