刘鑫
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
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- Ba源配比对YYC基带上MOCVD法制备YBCO薄膜性能的影响研究
- 金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法制备氧化物薄膜具有沉积速率快,外延薄膜均匀性好等优点.本文采用单一液相混合源进液及闪蒸的MOCVD系统在YYC基带上制备YBa2Cu3O7-x (YBCO)薄膜,研究混合源中Ba含量...
- 刘鑫熊杰张飞杨科赵晓辉陶伯万
- 前驱体中Cu(tmhd)2浓度对MOCVD法制备YBCO薄膜的调制效应
- 张飞熊杰刘鑫夏钰东赵晓辉陶伯万
- 溶液沉积表面平坦化方法制备百米级长的非晶Y2O3薄膜研究
- 采用浸渍提拉溶液沉积表面平坦化方法(SDP)在哈氏合金C276上沉积了约1 μm厚度的非晶氧化钇薄膜,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行表面分析,最优样品的表面均方根粗糙度RMS小于1nm,表面平整致密,无裂纹....
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- Ba源配比对MOCVD法制备YBCO薄膜性能的影响研究被引量：2
- 2014年
- 采用单一液相混合源进液及闪蒸的MOCVD系统在LaAlO3(001)单晶基片上制备YBa2Cu3O7-x(YBCO)薄膜,研究混合源中Ba含量对YBCO超导薄膜成分、结构及电流承载能力的影响。结果表明,当Ba含量较小时,YBCO薄膜中易于形成尺寸较小的CuO颗粒;随着Ba含量的增加,薄膜中形成Ba2CuO3晶粒,并且Ba2CuO3晶粒尺寸随Ba含量的增加而逐渐增大。杂质相的含量、尺寸以及与YBCO的晶格匹配程度对YBCO薄膜的双轴取向生长和电流承载能力具有重要影响。当原料摩尔配比Ba/Y=3.9时,成功制备出了具有优异面内面外取向、结构致密的YBCO超导薄膜,77 K下的300 nm厚度薄膜的临界电流密度达到4.0 MA/cm2,该研究结果对于第二代涂层导体的发展具有重要意义。
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- 关键词：MOCVDYBCO高温超导临界电流密度
