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温度控制织构金属基带上YBCO外延薄膜生长及缺陷研究被引量：1: 2013年; 采用直流溅射法在Y2O3/Y S Z/C e O2(Y Y C)缓冲层的织构N i W基带上,通过基片温度调制YBa2Cu3O7-δ(YBCO)外延薄膜生长。X射线衍射仪(XRD)表征显示,基片温度强烈地影响YBCO薄膜的外延生长:在较低的基片温度下薄膜趋于a轴取向生长,随基片温度升高薄膜逐渐变为纯c轴取向生长。由于a轴晶粒引起的大角度晶界会阻碍超导电流在a-b面内的传输,因此YBCO薄膜的微观结构和超导电性能随温度升高而得到改善,但是随着基片温度继续升高,基带的氧化程度加剧,YBCO与缓冲层间发生界面反应,从而导致薄膜质量衰退。本研究还计算了YBCO薄膜中的位错密度,并研究了位错密度与自场下YBCO薄膜临界电流密度(Jc)之间的关系。结果表明:YBCO薄膜在自场下的临界电流密度对螺旋位错密度比对刃型位错密度更加敏感,这主要是由YBCO薄膜的螺旋生长机制引起的。; 徐亚新熊杰夏钰东张飞薛炎陶伯万; 关键词：基片温度位错密度

高温超导双面带材的制备方法: 高温超导双面带材及制备方法，属于超导材料技术领域。本发明在金属基带的正反两面都设置有过渡层，过渡层以外为超导层，超导层以外为保护层。本发明的有益效果是：本发明的双面缓冲层/超导层结构，在超导带材总厚度几乎不变，并保证单面...; 熊杰陶伯万夏钰东李言荣张飞赵晓辉; 文献传递

YBCO涂层导体用YSZ缓冲层的快速制备研究: 2012年; 基于反应直流溅射法,采用镶嵌有钇粒的金属锆作为靶材,去离子水蒸汽为氧化反应气体,在有Y2O3种子层的双轴织构Ni-5at.%W基带上,系统地研究了温度和卷绕速度对YSZ阻挡层薄膜结构及表面形貌的影响。X射线衍射(XRD)分析表明,生长温度在700℃时制备的薄膜呈现明显的(002)取向;原子力显微镜(AFM)分析显示,该温度下制备的薄膜表面致密、无孔洞、无裂纹。在不同的卷绕速度下,虽然薄膜均为纯c轴取向,但其均方根粗糙度(RMS)和微粒大小均有较大差别。快速制备可达到抑制基片表面氧化、助于薄膜取向改善、提高薄膜制备效率的目的。; 冯啸熊杰张飞夏钰东赵晓辉陶伯万; 关键词：生长温度卷绕速度

一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉...; 熊杰薛炎张盼夏钰东陶伯万李言荣; 文献传递

双面超导带材缓冲层的连续制备方法: 双面超导带材缓冲层的连续制备方法，属于超导材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)将基带安装在两个转盘之间；2)将金属钇靶分别安置在对靶上，两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶上的金属钇靶连线垂直；3)将生长室(9)抽...; 李言荣陶伯万熊杰夏钰东张飞赵晓辉; 文献传递

溅射气压对快速制备Y_2O_3种子层的影响研究: 2012年; 采用动式卷绕直流反应磁控溅射法,在双轴织构的Ni-5at%W基带上快速制备双面Y2O3种子层用于制备高质量YBa2Cu3O7-x(YBCO)涂层导体。研究了溅射气压对种子层织构和表面形貌的影响,以及不同溅射气压条件下种子层的两面一致性。优化工艺条件之后,制备出纯c轴取向的双面Y2O3种子层,其双面面外、面内半高宽分别为3.6°,3.4°和4.6°,4.3°,表面平整致密,平均晶粒尺寸约为40nm。; 程崛熊杰薛炎夏钰东郭培张飞赵晓辉陶伯万; 关键词：溅射气压

溶液沉积表面平坦化方法制备百米级长的非晶Y2O3薄膜研究: 采用浸渍提拉溶液沉积表面平坦化方法(SDP)在哈氏合金C276上沉积了约1 μm厚度的非晶氧化钇薄膜,通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对薄膜进行表面分析,最优样品的表面均方根粗糙度RMS小于1nm,表面平整致密,无裂纹....; 杨科熊杰张飞刘鑫夏钰东陶伯万

高温超导双面带材及制备方法: 高温超导双面带材及制备方法，属于超导材料技术领域。本发明在金属基带的正反两面都设置有过渡层，过渡层以外为超导层，超导层以外为保护层。本发明的有益效果是：本发明的双面缓冲层/超导层结构，在超导带材总厚度几乎不变，并保证单面...; 熊杰陶伯万夏钰东李言荣张飞赵晓辉; 文献传递

一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法: 一种涂层导体用双面MgO缓冲层的制备方法，属于超导材料技术领域，本发明包括下述步骤：1)基带预处理：在基带底面和顶面制备非晶薄膜，使基带表面粗糙度达到预设标准；2)在步骤1)得到的基带的底面覆盖金属保护层，在基带的顶面沉...; 熊杰薛炎张盼夏钰东陶伯万李言荣; 文献传递

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夏钰东