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张刚

作品数:51 被引量:87H指数:4
供职机构:吉林师范大学更多>>
发文基金:吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金吉林省教育厅科研项目更多>>
相关领域:电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 48篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 34篇电子电信
  • 7篇文化科学
  • 6篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇矿业工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 22篇发光
  • 20篇电致发光
  • 20篇有机电致发光
  • 15篇电致发光器件
  • 15篇有机电致发光...
  • 15篇发光器件
  • 11篇亮度
  • 8篇白光
  • 7篇OLED
  • 6篇课程
  • 6篇教学
  • 6篇白光器件
  • 5篇电子注入
  • 5篇荧光
  • 5篇空穴
  • 4篇OLEDS
  • 3篇有机白光器件
  • 3篇有机发光
  • 3篇染料掺杂
  • 3篇空穴传输

机构

  • 50篇吉林师范大学
  • 8篇长春理工大学
  • 3篇吉林大学
  • 3篇华南理工大学
  • 1篇通化市第九中...

作者

  • 51篇张刚
  • 29篇姜文龙
  • 20篇汪津
  • 12篇丁桂英
  • 12篇常喜
  • 11篇高永慧
  • 10篇王立忠
  • 9篇王广德
  • 7篇韩强
  • 6篇华杰
  • 5篇丛林
  • 5篇孟昭晖
  • 4篇赵丽娜
  • 4篇张希艳
  • 4篇路莹
  • 3篇刘洪波
  • 3篇孙继芳
  • 3篇曾和平
  • 3篇欧阳新华
  • 3篇黄涛

传媒

  • 12篇吉林师范大学...
  • 8篇光电子.激光
  • 6篇半导体光电
  • 4篇液晶与显示
  • 3篇物理学报
  • 3篇高师理科学刊
  • 2篇通化师范学院...
  • 2篇江苏大学学报...
  • 1篇山东化工
  • 1篇发光学报
  • 1篇微计算机信息
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇科技广场
  • 1篇吉林师范大学...
  • 1篇职业时空
  • 1篇廊坊师范学院...
  • 1篇第11届全国...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 4篇2015
  • 7篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 5篇2011
  • 4篇2010
  • 6篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
51 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
“2W1H”双主教学模式建构与策略研究——以“现代科学技术导论”为例
2017年
现代科学技术的快速发展极大地推动了人类社会的发展,并对产业结构、经济结构、社会结构、生产方式、生活方式和思维方式产生了巨大影响,因此,学习现代科学技术知识对大学生来说尤为重要.本文对"现代科学技术导论"课程教学模式与策略进行系统研究,引进现代科学技术新成果基础上提出了"2W1H双主教学模式".该教学模式包括"2W1H"模块的构建、多媒体辅助教学、实验室参观或样品展示辅助教学三个模块.三个模块的构建符合现代化教学模式,有利于大学通识教育、培养创新复合型人才实施科教兴国.
郎集会李香兰张旗刘茂军张刚
关键词:教学模式教学改革
智能天线在3G中的应用被引量:1
2005年
智能天线是现代通信中的一个热点.本文主要介绍自适应智能天线的原理、优点及其在3G中的应用.
张刚
关键词:智能天线3G自适应
AlInGaAs和AlGaAs激光器热特性的对比实验研究
2006年
本文采用波长都是808 nm,有源层分别是AlInGaAs和AlGaAs不同材料的两种激光器,针对其热特性做了对比实验.结果发现AlInGaAs应变量子阱激光器在斜率效率、阈值电流、特征温度等方面随温度变化的特性都优于AlGaAs激光器.在20℃时,特征温度可达到200 K,阈值电流380 mA,而且AlInGaAs激光器的寿命也高于AlGaAs激光器,最大寿命达4 000 h,这为改善半导体激光器热特性提供了有利依据,也拓宽了808 nm激光材料的选择范围.
刘春玲王春武王静张刚王丽娟崔海霞王欢
关键词:半导体激光器热特性应变量子阱
磁场对基于Co铁磁薄膜的有机发光器件效率和电流的影响
2010年
制备结构为ITO/Co/NPB/Alq3/LiF/Al的有机发光器件,测量了室温下磁场对器件发光效率和电流的影响.发现磁场强度小于80mT时,器件发光效率随磁场强度的增加而增大,最大为18.8%,随磁场强度的继续增加发光效率的增强趋于饱和.效率的增加是Co的自旋极化的注入和磁场效应共同作用的结果,其中自旋极化注入起主要作用.在磁场强度小于60mT时电流随磁场增强而增加,最大为6.9%,随磁场强度的进一步增加电流的增加有所减弱.产生这种现象的原因可归结为磁场相关的单线态极化子对的解离和三线态激子与自由载流子相互作用导致的结果.
汪津姜文龙华杰王广德韩强常喜张刚
关键词:有机电致发光自旋极化磁场效应
荧光染料掺杂的高效率、高亮度白色OLEDs
2016年
利用真空蒸镀的方法,制备了结构为:ITO/m-MTDATA(20 nm)/NPB(10 nm)/Rubrene(0.2 nm)/DPVBi:BCzVBi(x nm,10%)/Alq_3(20 nm)/Cs_2CO_3:Ag_2O(2 nm,20%)/Al(100 nm)的器件.研究了掺杂层的不同厚度(x=20,25和30)对器件性能的影响.结果是当掺杂层的厚度为25 nm时,器件的性能最好.电流密度为285.064 m A/cm^2时,器件B获得最大亮度为13 560 cd/m^2,同时获得最大电流效率,为4.76 cd/A.器件的高亮度与高效率主要是因为主客体之间的能量转移很充分.
张刚刘艳梅李敏高红岩康志杰高永慧赵丽娜
关键词:亮度
利用MATLAB实现PSK系统的仿真被引量:1
2007年
MATLAB提供了大量通信方面的函数,使用户能轻松的进行通信方面数据的分析与处理.本文介绍了PSK(相移键控),利用MATLAB对PSK系统进行仿真作了详细地说明,并给出了相关的程序.
张刚杜洪涛
关键词:MATLABPSK系统仿真
以CzHQZn为主体的有机发光器件的发光效率被引量:2
2009年
采用真空热蒸镀技术,分别制备了结构为ITO/2T-NATA(25nm)/CzHQZn(10~25nm)/TPBi(35nm)/LiF(0.5nm)/Al、ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:x%CzHQZn(20nm)/Alq3(50nm)/LiF(0.5nm)/Al和ITO/2T-NATA(30nm)/CBP:6%Ir(ppy)3:10%CzHQZn(xnm)/Alq3((70-x)nm)/LiF(0.5nm)/Al的3组有机电致发光器件(OLED)。器件中,CzHQZn既有空穴传输特性,又是黄光发射的主体。为了提高其发光效率,利用磷光敏化技术,研究了掺杂层中不同掺杂浓度和掺杂层不同厚度时器件的发光效率。结果表明,器件的效率随着掺杂发光层的厚度和掺杂浓度的变化而改变,当发光层的厚度为18nm时,CzHQZn掺杂浓度为10%的器件性能较好;在10V电压下,器件的最大电流效率达到3.26cd/A,色坐标为(0.4238,0.5064),最大亮度达到17560cd/m2。
姜文龙丁桂英张刚丛林孟昭晖欧阳新华曾和平
掺杂浓度和厚度对有机白光器件性能的影响被引量:1
2010年
介绍了结构为ITO/2T(20nm)/NPBX(15nm)/DPVBi(15nm)/Alq3:Rubrene(10,x)nm/Alq3(40nm)/LiF(0.5nm)/Al的掺杂方法制备的白光器件。其中掺杂浓度x分别为1%、2%、3%、4%和5%(质量分数)。这种结构充分利用了Rubrene在有机电致发光器件中的良好的掺杂特性,从而使器件发射出性能较好的白光。首先讨论了Rubrene的掺杂浓度对器件性能的影响。当Rubrene掺杂浓度是3%(质量分数)时,色度最好(0.32,0.32)且色坐标稳定。在此基础上,讨论了掺杂层厚度对器件性能的影响。掺杂层的厚度Y分别为10,15,20,25,30nm变化时,制作了5个器件。随着掺杂层厚度的增加,器件发出的蓝光和黄光相对平衡,色度较好。其中掺杂层厚度为20nm时,器件的效率和亮度均最高,分别达到5.10cd/A和17130cd/m2。
王立忠姜文龙王广德张刚丛林孟昭晖高永慧
关键词:有机电致发光白光掺杂厚度
新工科背景下“项目化”教学方法的实践与研究被引量:7
2019年
在国家“产业升级”和吉林省“高教强省”战略的引领下,高校各专业要更加明确办学特色和定位,结合国家新工科概念的提出,强化教学改革势在必行;培养特色鲜明的掌握领域核心技术的工程人才,才能满足社会的需求。本文在分析了“新工科”的任务基础上,提出了“校企联合,产教融合,协同育人”培养模式,课程教学采取“项目化”的教学方法,提高了学生的工程创新能力。
张刚吕征黄涛王立忠常喜
加CdS薄层的有机电致磷光白光器件性能的优化
2014年
采用CBP和MCP做主体,分别掺杂磷光铱配合物Ir(piq)2(acac)和FIrpic作为红光发光层和蓝光发光层,研究了红光发光层和蓝光发光层的位置对器件性能的影响,得出结构为ITO/2T/NPB/MCP∶Firpic/CBP/CBP∶Ir(piq)2(acac)/Bphen/CdS/LiF/Al的器件性能较好。当CdS的厚度为0.1nm,电流密度为161mA/cm2时,器件的最大效率比不加CdS的器件的最大效率提高了1.42倍。亮度也有较大提高。在电流密度为225mA/cm2(电压为17.5V)时,最大亮度为20 890cd/m2,比不加CdS的器件的最大亮度16 610cd/m2高出4 280cd/m2。
姜文龙孙继芳路莹田小翠刘姊君张刚常喜汪津丁桂英
关键词:电子注入
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