翟蕊
- 作品数：6 被引量：20H指数：3
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程理学更多>>
- 助溶剂法不同形貌SiC晶体的生长
- SiC半导体材料是自第一代半导体材料/(Si/)和第二代化合物半导体材料/(GaAs、GaP、InP等/)之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，具有优异的物理化学性能。SiC体单晶和一维纳米晶须在制备高温、高频、大功率的...
- 翟蕊
- 关键词：碳化硅单晶SLSVLS
- 文献传递
- 真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响
- 在不同的真空度下，采用热蒸发硅碎片的方法，在PAN碳纤维上原位生长了不同形貌的碳化硅纳米线。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等测试手段分析了产物的相组成，形貌及微结构。X射线衍射图谱...
- 陈建军林晶潘颐杨广义吴仁兵吴玲玲翟蕊
- 关键词：碳化硅纳米线真空度碳纤维原位生长
- 文献传递
- 金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长
- 2007年
- 以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出.
- 杨光义吴仁兵陈建军高明霞翟蕊吴玲玲林晶潘颐
- 关键词：碳化硅单晶液相法碳化硅晶须
- 硅热蒸发法制备SiC纳米线及其结构表征被引量：8
- 2008年
- 采用简单热蒸发法使硅蒸气和碳纳米管反应生成了碳化硅纳米线.反应产物首先经X射线衍射(XRD)确定为3C-SiC.再用场发射扫描电镜(FESEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)等进行形貌和结构研究,发现3C-SiC纳米线部分呈直线六棱柱形状,大多为3C-SiC单晶,其[111]方向与纳米线长度方向一致,间或有折线,弯曲和螺旋形.在这些结果的基础上,提出3C-SiC纳米线形核生长的气液固(VLS)机制:硅蒸气(V)溶于碳纳米管端部残留金属催化剂液滴(L),与碳纳米管反应(S),生成3C-SiC晶核并沿碳纳米管长度方向生长.
- 吴玲玲吴仁兵杨光义陈建军翟蕊林晶潘颐
- 关键词：SIC纳米线
- 热蒸发法碳化硅纳米晶须阵列的合成与表征被引量：6
- 2007年
- 在1600℃不同真空度下,采用热蒸发硅的方法,在石墨基板和聚丙烯腈(PAN)炭纤维两种碳源基体原位生长具有一定取向的碳化硅纳米晶须——垂直于石墨片表面森林状和试管刷状碳化硅纳米晶须阵列。通过X射线衍射及场发射扫描电镜,发现晶须为3C-SiC,直径约100 nm,长度约50μm。炭纤维表面的产物顶端多为针尖状,而石墨片表面的产物多为六方棱柱状。因其纳米尺寸效应,在380 nm波长的光激发下,所制晶须在波长为468 nm附近出现光致发光峰。透射电镜、多点衍射电子衍射图表明,所制得的3C-SiC晶须为单晶,其生长方向为3C-SiC的[111]方向。基于反应过程中硅熔体与碳源分离的事实,讨论了3C-SiC晶须阵列生长的气固反应机理。
- 林晶陈建军杨光义吴仁兵翟蕊吴玲玲潘颐
- 关键词：碳化硅晶须
- FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长被引量：5
- 2007年
- 在1500℃、1600℃、1650℃和1750℃氩气中保温3 h,使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展,分别在熔层表面获得SiC颗粒层、SiC颗粒与晶须混合层、SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC;TEM和SAED分析表明,SiC晶须为3C-SiC单晶,生长方向为[111]。基于上述结果,提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径,生成不同形貌SiC的反应机理：低温时（≤1500℃）,Fe提高了熔体中C的饱和溶解度,以液-固（LS）反应生成SiC颗粒;较高温度时（1500-1750℃）,借助Fe的催化作用,以气-液-固（VLS）机理生成SiC晶须;更高温度时（≥1750℃）,气-液-固（VLS）变得无序,生成SiC腾空连续膜。
- 翟蕊杨光义吴仁兵陈建军林晶吴玲玲潘颐
- 关键词：SIC晶须液相法
