吴仁兵
- 作品数：17 被引量：23H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金浙江省科技厅项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信化学工程理学更多>>
- 一种适合SiC晶须生长的方法
- 本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，使铁族或镧系元素－硅化物合金化的硅化物熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为－Si合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护气...
- 潘颐杨光义陈建军吴仁兵
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- 一种合成碳化硅纳米棒的方法
- 本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩锅里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩锅上，随后倒置另一石墨坩锅于基片上；将坩锅放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1...
- 潘颐吴仁兵陈建军杨光义
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- 一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法
- 本发明公开了一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法，将Si粉与多壁碳纳米管作为原材料置于氧化铝坩埚里，然后将坩埚放置于真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率到1410～1600℃，保温时间3～9个小时，整个装...
- 陈建军潘颐杨光义吴仁兵
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- 真空度对碳纤维原位生长SiC纳米线的影响
- 在不同的真空度下，采用热蒸发硅碎片的方法，在PAN碳纤维上原位生长了不同形貌的碳化硅纳米线。通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(SEM)及透射电镜(TEM)等测试手段分析了产物的相组成，形貌及微结构。X射线衍射图谱...
- 陈建军林晶潘颐杨广义吴仁兵吴玲玲翟蕊
- 关键词：碳化硅纳米线真空度碳纤维原位生长
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- 一种合成碳化硅纳米棒的方法
- 本发明公开了一种合成碳化硅纳米棒的方法。碎硅片置于石墨坩埚里，将盛有碳纳米管的多孔氧化铝基片放置于坩埚上，随后倒置另一石墨坩埚于基片上；将坩埚放置真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率一直升温到1400℃～1...
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- 一种适合SiC晶须生长的方法
- 本发明公开了一种适合SiC晶须生长的方法。在石墨坩埚中，铁族或镧系元素与硅的合金熔化为熔体，生长设备为高温真空气氛烧结炉生成SiC晶须，石墨坩埚是作为铁族或镧系元素与Si的合金融化的容器又作为实验中的碳源，流动氩气作保护...
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- 形貌多元化SiC纳米材料生长、结构及其性能研究
- 在过去的十年里，低维半导体纳米材料由于具有特殊的物理和化学性质以及在纳米光、电、磁器件中的潜在应用，引起了研究者极大的兴趣。在众多的半导体材料中，宽带隙碳化硅(SiC)半导体材料还因其力学性能优异、热导率高、化学惰性强等...
- 吴仁兵
- 关键词：碳化硅纳米材料光致发光半导体材料
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- 一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法
- 本发明公开了一种合成两种不同形状碳化硅纳米线的方法，将Si粉与多壁碳纳米管作为原材料置于氧化铝坩锅里，然后将坩锅放置于真空高温烧结炉里，以10～30℃/min的升温速率到1410～1600℃，保温时间3～9个小时，整个装...
- 陈建军潘颐杨光义吴仁兵
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- 针尖状SiC纳米线的合成与机理分析被引量：1
- 2009年
- 采用热蒸发硅的方法,于1650℃反应不同的时间,在聚丙烯腈(PAN)碳纤维上原位生长碳化硅纳米线。通过X射线衍射,场发射扫描电镜及透射电子显微镜分析和观察,发现制得的产物为β-SiC单晶纳米线,具有明显的针尖状头部,且呈放射状生长在碳纤维上,形成试管刷状阵列。基于在反应不同阶段所得到产物的不同形貌,结合对制备条件和制备原料的分析,提出不同于传统VLS机理的VL’S机理。
- 朱奇妙陈建军吴仁兵李宝生潘颐
- 关键词：碳化硅纳米线
- 金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长
- 2007年
- 以过渡族金属硅化物为溶剂,采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征,利用X射线衍射仪(XRD)对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征,并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明,Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶,FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须,而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后,仅有石墨相析出.
- 杨光义吴仁兵陈建军高明霞翟蕊吴玲玲林晶潘颐
- 关键词：碳化硅单晶液相法碳化硅晶须
