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张保国

作品数:26 被引量:18H指数:2
供职机构:河北工业大学更多>>
发文基金:河北省科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺电气工程环境科学与工程更多>>

文献类型

  • 18篇专利
  • 8篇期刊文章

领域

  • 7篇电子电信
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇抛光
  • 7篇抛光液
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 4篇化学机械抛光
  • 4篇机械抛光
  • 3篇氧化硅
  • 3篇阻挡层
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米级
  • 3篇纳米级二氧化...
  • 3篇二氧化硅
  • 2篇带线
  • 2篇氮化镓
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学处理
  • 2篇电源
  • 2篇亚氨基
  • 2篇氧化剂
  • 2篇直流

机构

  • 26篇河北工业大学
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 26篇张保国
  • 7篇刘敏
  • 7篇周朝旭
  • 4篇赵帅
  • 3篇刘玉岭
  • 3篇王如
  • 3篇李烨
  • 3篇吴鹏飞
  • 2篇何彦刚
  • 2篇高宝红
  • 1篇王辰伟
  • 1篇孙强
  • 1篇刘伟娟
  • 1篇潘国峰
  • 1篇黄妍妍
  • 1篇王赫
  • 1篇张启明
  • 1篇张金
  • 1篇方亮
  • 1篇罗超

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇稀土
  • 1篇电镀与涂饰
  • 1篇润滑与密封
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 4篇2024
  • 5篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 1篇2015
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
LED制备中剥离技术的研究进展被引量:1
2016年
随着LED芯片功率的增加,结温升高导致传统LED芯片的可靠性和使用寿命明显下降。介绍了LED芯片的研究背景,指出散热问题是制约LED芯片发展的重要因素,因此研发可靠性高的散热技术已成为制备新型LED芯片的重要研究方向。详细论述了三种剥离技术在制备新型LED芯片中所起的重要作用及目前的技术水平。激光剥离技术剥离速度快、发展相对成熟;化学剥离技术对GaN薄膜损伤小、良率高、但剥离速度慢;机械剥离技术良率低,在LED领域应用较少。从工业化生产的角度指出了剥离技术未来的发展方向。
周朝旭罗超张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣
关键词:LED散热可靠性使用寿命
蓝宝石晶体抛光废液的处理方法
本发明蓝宝石晶体抛光废液的处理方法,涉及废水的处理,步骤是:设置电化学处理装置,主要包括一个化学处理槽、阳极、阴极和直流电源;调节蓝宝石晶体抛光废液的初始pH值为6~12;电化学处理,控制直流电源电压在10~40V范围内...
张保国潘柏臣赵帅王如周朝旭
一种具有石墨烯涂层的LED用散热器
本实用新型公开一种具有石墨烯涂层的LED用散热器,包括散热基座和散热鳞片,其特征在于在散热基座的内表面和散热鳞片的外表面均设有石墨烯涂层,所述石墨烯涂层采用石墨烯导热浆料;所述石墨烯涂层的厚度为1~30μm。该散热器在散...
张保国赵帅于璇张劭春张春梅
文献传递
一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液
本发明为一种用于获得极平滑氮化镓薄膜的高效化学机械抛光液。该抛光液的组成包括:氧化剂的质量百分浓度为3.5~4.5%,表面活性剂的质量百分浓度为0.15~0.35%,抛光液体系的pH值为1.0~2.0,磨料的质量百分浓度...
咸文豪张保国刘敏
基于KMnO<Sub>4</Sub>-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>体系的Mn氧化物增效的4H-SiC化学机械抛光液
本发明为一种基于KMnO<Sub>4</Sub>‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>体系的Mn氧化物增效4H‑SiC化学机械抛光液。所述抛光液包括氧化剂KMnO<Sub>4</Sub>、Al<Sub>...
崔德兴张保国刘敏咸文豪
LED倒装芯片Ni/Ag/Au结构反射层的退火工艺被引量:2
2016年
针对LED倒装芯片中p-GaN与Ni/Ag/Au金属反射层之间的接触进行了研究,找到最优工艺条件。以光学反射率(455 nm波长)、比接触电阻率(SCR)、样品表面均方根粗糙度(RMS)和倒装芯片电参数测试结果为依据,找出Ni/Ag/Au金属反射层在N2环境下的最优退火条件。在不同N2流速、退火时间、退火温度下退火的Ni/Ag/Au金属反射层应用于254μm×559μm的GaN基发光二极管,来减小Ni/Ag/Au金属反射层与p-GaN比接触电阻率,降低LED工作电压及提高光学反射率、增强LED的发光亮度。并分析其在60 mA工作电流下正向电压和光输出功率的变化,在最优条件下制得的LED在直流电流60 mA下的正向平均电压为3.27 V,平均光输出功率为88.9 mW。
周朝旭张保国王静辉甄珍珍李晓波潘柏臣
关键词:氮化镓发光二极管(LED)欧姆接触倒装芯片
一种垂直紫外LED芯片的制备方法
本发明一种垂直紫外LED芯片的制备方法,涉及适用于制造至少有一个电位跃变势垒的专门适用于光发射的半导体器件的方法,采用金属电流扩展层Ni/Ag加上DBR代替垂直紫外LED芯片的金属反射层,其中,金属电流扩展层Ni/Ag中...
张保国周朝旭甄珍珍李晓波
文献传递
高分散稳定性CeO_(2)抛光液的制备及其抛光性能研究
2022年
通过湿固相机械法制备CeO_(2)悬浮液。在不同温度下焙烧Ce_(2)(CO_(3))_(3)制备CeO_(2)粉末,以无机酸作为分散剂,采用湿式球磨的方法进行CeO_(2)的分散,分别研究了分散剂的种类、料球比以及球磨液的pH值等因素对悬浮液分散性能的影响。结果表明,随着焙烧温度的升高,制备的CeO_(2)粉末的团聚程度先降低后升高。采用硝酸为新型分散剂,当焙烧温度为900℃、球磨液pH为2、料球质量比为1∶4时,所得CeO_(2)的平均粒径(D50)为230 nm。以此CeO_(2)悬浮液作为磨料,在磨料质量分数为1%、pH为5条件下,SiO_(2)材料的抛光速率可达248.9 nm/min,抛光后表面均方根粗糙度(RMS)为0.588 nm。研究结果可以对碳酸铈直接制备氧化铈悬浮液短流程开发提供参考。
杨朝霞张保国张保国李烨李浩然
关键词:抛光液球磨化学机械抛光
用于光学玻璃CMP的高效稀土抛光液研究
2023年
以纳米二氧化铈(CeO_(2))为磨料,使用球磨与不同化学试剂(如pH值调节剂乙酸、丙酸、植酸和分散剂离子型表面活性剂、非离子型表面活性剂)的协同分散方法制备纳米CeO_(2)抛光液,研究酸性体系下不同抛光液的分散性能与抛光性能。研究表明,球磨时以乙酸为pH值调节剂,调节溶液pH值为3,料球比为1∶4,球磨时间为6 h,球磨后纳米CeO_(2)悬浮液分散效果较好。采用制备的纳米CeO_(2)抛光液对石英玻璃进行抛光实验。结果表明:在磨料质量分数为1%、pH为4的条件下,石英玻璃的材料去除速率最高为409 nm/min,粗糙度仅为0.03 nm;阳离子、非离子型表面活性剂均有助于提升酸性体系下CeO_(2)悬浮液的分散稳定性,而加入非离子表面活性剂AEO-9(脂肪醇聚氧乙烯醚)效果最佳,其能够在提高分散稳定性的基础上改善石英玻璃的表面质量。
王也张保国张保国谢孟晨吴鹏飞李浩然
关键词:石英玻璃化学机械抛光去除速率
一种用于电化学测试铂片电极的可移动防护装置
本实用新型为一种用于电化学测试铂片电极的可移动防护装置。该装置包括套环、限位盘和护罩;护罩下部为直筒状结构,底部开放,顶部为半椭球状上盖,上盖的中心开有第一中心孔;所述的护罩上盖顶部中心孔边缘覆盖有一个套环;护罩下部的直...
崔德兴张保国咸文豪刘敏
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