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王拥军

作品数:9 被引量:10H指数:3
供职机构:中国兵器工业第五二研究所更多>>
发文基金:国家科技攻关计划更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 8篇氮化
  • 8篇粉体
  • 7篇氮化硅
  • 7篇硅粉
  • 6篇氮化硅粉
  • 6篇氮化硅粉体
  • 2篇氧含量
  • 2篇数对
  • 2篇工艺参
  • 2篇合成法
  • 2篇Β-SI3N...
  • 2篇产品纯度
  • 2篇纯度
  • 1篇氮化铝
  • 1篇毒性
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅粉
  • 1篇碳化硅粉体
  • 1篇碳化钨
  • 1篇陶瓷

机构

  • 9篇中国兵器工业...
  • 2篇宿迁学院

作者

  • 9篇李金富
  • 9篇段关文
  • 9篇王拥军
  • 8篇燕东明
  • 8篇李康
  • 7篇常永威
  • 6篇赵斌
  • 6篇李国斌
  • 6篇刘国玺
  • 2篇高晓菊
  • 2篇乔光利
  • 2篇王正军
  • 2篇王军
  • 2篇徐志雄
  • 2篇陈新力
  • 1篇李爱民

传媒

  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇粉末冶金工业
  • 1篇中国粉体技术

年份

  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响被引量:4
2007年
采用自蔓燃高温合成方法(self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS)合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明:只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度(Tcom),在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.
李金富李康王拥军燕东明段关文
关键词:燃烧温度Β-SI3N4
自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法
本发明提供了一种无污染的自蔓燃合成高β相氮化硅棒状晶须的方法,属于无机非金属材料领域。以重量计,金属硅粉:50-65wt%,稀释剂氮化硅粉体15-30wt%,添加剂5-20wt%,添加剂为(NH<Sub>4</Sub>)...
燕东明李金富李康王军段关文李国斌常永威赵斌刘国玺王拥军
文献传递
SHS法工艺参数对制备氮化硅粉体的影响被引量:4
2006年
本文采用自蔓燃高温合成方法(Self—propagating High—temperature Synthesis)简称(SHS)合成氮化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释荆与孔隙率等方面的影响。结果表明:只要最高燃烧温度不高于相应氮气压力下Si3N4的热分解温度,就可以用SHS方法合成Si3N4;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释荆,来控制反应温度,以获得高α相含量的粉体。压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行。研究发现SHS法可以制备纯度较高的氮化硅粉体。此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性及烧结活性好。
王正军李金富燕东明王拥军段关文
关键词:Β-SI3N4
自蔓燃合成法制备低氧含量氮化铝粉体的方法
本发明公开了一种自蔓燃合成法制备低氧含量氮化铝粉体的方法,其特点是它包括原料处理、配比、混合、反应、反应完成工艺步骤,其特点是合成的氮化铝含氮量高,氧含量低,粒度细,适用于制备高热导氮化铝陶瓷基板、陶瓷绝缘散热片以及氮化...
燕东明李金富李康李国斌刘国玺常永威赵斌段关文王拥军乔光利
文献传递
自蔓燃高温合成氮化硅粉体的研究被引量:4
2006年
研究了自蔓燃高温合成方法制备氮化硅粉体,借助于XRD、SEM等检测方法,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中硅粉粒度、氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面对反应产物的影响,并对反应机理进行了分析。由于有添加剂氯化铵的存在,反应中不是单纯的硅粉氮化反应。只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制:低温机制、中温机制、高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体。压坯气孔率控制在30%~70%,否则反应不能进行金属硅粉的粒度细,合成的Si3N4中α相含量高。
李金富常永威李康王正军段关文王拥军
关键词:氮化硅粉体反应机理
自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法
本发明公开了一种自蔓燃制备低氧含量高α-相氮化硅粉体的方法,其特点是它包括原料处理、配比、混合、反应、得成品工艺步骤,所获的产品纯度高,α相含量高,氧含量<1%。
李金富燕东明李国斌刘国玺李康常永威赵斌段关文王拥军乔光利
文献传递
自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
本发明公开了一种自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法,其特点是它包括原料处理、配料、混合、自蔓燃反应得成品等工艺步骤,配料步骤各原料的重量配比为:金属硅粉:45-50wt%、高纯碳黑:5-10wt%、稀释剂:45wt%;...
李金富燕东明李康陈新力李国斌常永威高晓菊赵斌刘国玺徐志雄段关文王拥军
文献传递
自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法
本发明公开了一种自蔓燃无污染快速制备高α相氮化硅粉体的方法,其特点是它包括原料处理、配料、混合、自蔓燃反应、得成品工艺步骤,是一种以无毒性、无酸性添加剂来实现自蔓燃合成α相氮化硅粉体的方法,减少环境污染,提高对操作人员的...
王军燕东明李金富李康李国斌常永威赵斌刘国玺段关文王拥军
文献传递
自蔓燃制备碳化钨粉体的方法
本发明公开了一种自蔓燃制备碳化钨粉体的方法,其特点是它包括如下步骤:基体原料处理:WO<Sub>3</Sub>∶Mg∶C=1∶3.6∶1,配料:基体原料:70wt%、添加剂NH<Sub>4</Sub>Cl:15-25wt...
燕东明李金富陈新力李国斌李康常永威赵斌刘国玺高晓菊段关文徐志雄王拥军李爱民
文献传递
共1页<1>
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