燕东明
- 作品数：55 被引量：116H指数：6
- 供职机构：中国兵器科学研究院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家科技攻关计划国防基础科研计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程金属学及工艺冶金工程更多>>
- NdFeB永磁薄膜的研究进展被引量：2
- 2010年
- 综述了NdFeB薄膜的国内外研究进展;介绍并分析NdFeB永磁薄膜的制备方法及溅射功率,溅射气压及靶基距对NdFeB薄膜的影响;概括总结NdFeB永磁薄膜的应用领域;展望NdFeB永磁薄膜的发展趋势和前景。
- 郭在在刘国玺牟晓明燕东明傅宇东高鹏
- 关键词：溅射功率溅射气压
- 一种Co-Fe合金/碳球复合微波吸收剂及其制备方法
- 本发明涉及一种Co‑Fe合金/碳球复合微波吸收剂及其制备方法，其以碳球为核，所述碳球的外侧被Co‑Fe合金颗粒所包覆，所述Co‑Fe合金颗粒的外侧又包覆有一层石墨，整体形成多级核壳结构，上述复合微波吸收剂的制备方法为首先...
- 王成曹剑武燕东明张丛高晓菊郭建斌曲峻峰李志鹏满蓬刘发付常永威乔光利赵斌李金富张武李国斌贾书波李康杨双燕王静慧王志伟
- 文献传递
- 自蔓燃制备低氧含量高α－相氮化硅粉体的方法
- 本发明公开了一种自蔓燃制备低氧含量高α－相氮化硅粉体的方法，其特点是它包括原料处理、配比、混合、反应、得成品工艺步骤，所获的产品纯度高，α相含量高，氧含量＜1％。
- 李金富燕东明李国斌刘国玺李康常永威赵斌段关文王拥军乔光利
- 文献传递
- 自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法
- 本发明公开了一种自蔓燃制备氮化硅复合碳化硅粉体的方法，其特点是它包括原料处理、配料、混合、自蔓燃反应得成品等工艺步骤，配料步骤各原料的重量配比为：金属硅粉：45-50wt％、高纯碳黑：5-10wt％、稀释剂：45wt％；...
- 李金富燕东明李康陈新力李国斌常永威高晓菊赵斌刘国玺徐志雄段关文王拥军
- 文献传递
- 耐烧蚀复合材料风帽制造方法研究
- 2020年
- 分析了金属熔炼与浇注工艺的关键操作技术和提高钢液纯洁度措施,采用消失模铸造工艺,在真空负压下,耐热不锈钢液渗透到硅石砂涂料砂粒间隙内,形成厚度2.0~2.5 mm金属和砂粒耐热烧结陶瓷层,并与风帽金属本体复合,研究了耐烧蚀复合材料风帽的制造方法。结果表明,耐烧蚀风帽在火电厂锅炉煤粉燃烧区使用寿命是金属风帽的1.3倍以上。
- 郭在在赵倩莹李国斌曹剑武燕东明杨双燕刘发付童鹤
- 关键词：消失模铸造
- 自蔓燃合成法制备高β相氮化硅棒状晶须的方法
- 本发明提供了一种无污染的自蔓燃合成高β相氮化硅棒状晶须的方法，属于无机非金属材料领域。以重量计，金属硅粉：50－65wt％，稀释剂氮化硅粉体15－30wt％，添加剂5－20wt％，添加剂为(NH<Sub>4</Sub>)...
- 燕东明李金富李康王军段关文李国斌常永威赵斌刘国玺王拥军
- 文献传递
- 碳化硼陶瓷粉体制备研究进展被引量：5
- 2017年
- 碳化硼是一种具有类似金刚石力学性能的超硬材料,已经广泛应用于兵器装甲涂层等。工业上碳化硼的制备一般采用传统的高温碳热还原法。本文综述了碳化硼陶瓷粉体的新型制备方法及应用领域。
- 郭在在曹剑武燕东明赵斌贾书波李国斌傅宇东
- 关键词：碳化硼粉体
- 无压烧结温度对Si3N4(w)/Si3N4复合材料结构与性能的影响
- 以α-SiN为原料,氧化铝(AlO)和氧化钇(YO)为烧结助剂,加入β-Si3N4晶须增韧,采用无压烧结工艺制备晶须增韧氮化硅基复合材料。借助XRD、SEM、EDS等手段,研究了无压烧结温度对SiN(w)/SiN复合材料...
- 郭建斌满鹏燕东明张武王成常永威梁西瑶
- 关键词：烧结温度无压烧结增韧机理
- 文献传递
- 一种二硼化镁粉体超导材料的制备方法
- 本发明属于粉体超导材料制备领域，尤其涉及一种二硼化镁粉体超导材料的制备方法，步骤如下：在氩气环境下，将NaBH<Sub>4</Sub>粉末和Mg粉末按照摩尔比为(2～2.5)：1混合均匀，研磨压片后放入钽杯中；将钽杯放入...
- 周雅伟高晓菊满蓬牟晓明曹剑武燕东明谢威李大吉
- 文献传递
- 工艺参数对自蔓燃制备氮化硅粉体的影响被引量：4
- 2007年
- 采用自蔓燃高温合成方法（self-propagating high-temperature synthesis,简称SHS）合成氮化硅粉体,分析了自蔓燃高温合成氮化硅过程中氮气、温度、稀释剂与孔隙率等方面的影响.采用XRD研究相的组成,用SEM观察粉末的显微结构.研究结果表明：只要控制反应中的工艺参数,就可以采用自蔓燃得到不同相含量的Si3N4粉体;考虑到燃烧温度（Tcom）,在氮化硅粉体的合成过程中,涉及到3个反应机制：低温机制,中温机制,高温机制;氮气压力下硅粉的自蔓燃合成反应,必须要引入Si3N4稀释剂,来控制反应温度和反应速度,获得不同相含量的粉体;NH4Cl在反应中分解,为反应提供了NH3,并与硅粉反应;压坯气孔率控制在30%～70%,否则反应不能进行.SHS法可以制备纯度很高的氮化硅粉体.此法较传统方法合成的氮化硅设备简单,成本低廉,纯度高,填充性好,烧结活性好.
- 李金富李康王拥军燕东明段关文
- 关键词：燃烧温度Β-SI3N4
