杨广武
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：天津工业大学理学院更多>>
- 发文基金：天津市自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程更多>>
- 低温热解法合成和表征ZnO纳米粉末研究被引量：2
- 2006年
- 利用低温热解技术,通过在不同温度下灼烧乙酸锌和碳酸氢钠的混合物制备了晶态和非晶态ZnO纳米粉末。采用透射电镜、X射线衍射、吸收谱等手段对所制得的粉末进行了表征。利用光致发光谱研究了晶态和非晶态ZnO纳米粉末的光学性质,结果表明非晶ZnO纳米粉末具有更高的紫外发射强度。
- 张海明崔艳陈国相杨广武赵永男
- 关键词：晶态非晶态
- MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究被引量：5
- 2008年
- 用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579cm-1)和2LO(1152cm-1)两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。
- 蓝镇立张希清杨广武孙建刘凤娟黄海琴张蕊殷鹏刚郭林宋宇晨
- 关键词：ZNO薄膜光致发光RAMAN散射
- P型ZnO薄膜及ZnO基LED研究进展被引量：1
- 2007年
- 本文介绍了氧化锌的光电性质以及与其它相近的半导体材料相比的优点，分析了p型氧化锌难以实现的原因，综述了p型掺杂和LED的研究进展。
- 杨广武张海明陈国相
- 关键词：ZNO薄膜P型LED
- 射频等离子体辅助分子束外延生长高质量Zno薄膜研究
- 本论文的主要任务是研究在蓝宝石/(0001/)衬底上利用射频等离子体辅助分子束外延/(rf-MBE/)系统生长出高质量的氧化锌/(ZnO/)单晶外延薄膜，为ZnO这一新颖的半导体材料在光电子器件方面得到应用打下基础。
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- 杨广武
- 关键词：ZNO薄膜X射线衍射吸收光谱光致发光谱
- 文献传递
