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刘凤娟

作品数:16 被引量:12H指数:2
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市自然科学基金更多>>
相关领域:理学机械工程电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇光电
  • 6篇等离子体处理
  • 6篇电子器件
  • 6篇光电子
  • 6篇光电子器件
  • 5篇电子信息
  • 5篇光电子信息
  • 4篇探测器
  • 4篇高温
  • 4篇高温处理
  • 4篇衬底
  • 4篇ZNO薄膜
  • 3篇生长温度
  • 3篇蓝宝
  • 3篇蓝宝石
  • 3篇MGZNO
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶薄膜
  • 2篇电极
  • 2篇电极修饰

机构

  • 16篇北京交通大学
  • 1篇丽水学院
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇天津工业大学

作者

  • 16篇刘凤娟
  • 15篇张希清
  • 11篇黄海琴
  • 9篇王永生
  • 8篇孙建
  • 8篇胡佐富
  • 4篇姚志刚
  • 4篇李振军
  • 2篇赵建伟
  • 1篇郭林
  • 1篇蓝镇立
  • 1篇张蕊
  • 1篇殷鹏刚
  • 1篇李振军
  • 1篇孙建
  • 1篇杨广武
  • 1篇宋宇晨

传媒

  • 2篇第五届届全国...
  • 1篇发光学报
  • 1篇光谱学与光谱...

年份

  • 2篇2014
  • 4篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2007
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法
本发明公开了一种在ITO衬底上生长ZnMgO合金薄膜的方法,属于半导体材料与器件领域。该方法的步骤为:步骤1,将清洗过的ITO衬底传入MBE系统,在750-850℃下高温处理20-60分钟;步骤2,在500-700℃下,...
张希清孙建黄海琴刘凤娟胡佐富赵建伟
文献传递
光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法,属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上,衬底(3)的对面或侧壁上,设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为:1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传...
张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
文献传递
一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法
一种n型掺杂ZnO薄膜的快速响应紫外探测器的制作方法,属于光电子信息领域,解决了ZnO光电导探测器响应速度比较慢的问题,它包括以下步骤:步骤一,用化学清洗方法将石英衬底清洗干净;步骤二,在清洗干净的石英衬底上生长Ga掺杂...
孙建张希清刘凤娟黄海琴王永生
ZnO薄膜和晶体的生长、特性及应用研究
本文用MBE和CVD在蓝宝石衬底上生长了ZnO薄膜和晶体,并对薄膜和晶体的结构和光学性质进行了研究。在此基础上制备了声表面波器件和光敏电阻,并研究了器件的性能。
张希清刘凤娟李振军胡佐富
MBE生长ZnO薄膜的结构和光学特性的研究被引量:5
2008年
用等离子体源辅助分子束外延(P-MBE)方法在蓝宝石(0001)面上生长出了高质量的ZnO薄膜,并对其结构和发光特性进行了研究。在XRD中只观察到ZnO薄膜的(0002)衍射峰,其半高宽(FWHM)值为0.18°;而在共振Raman散射光谱中观测到1LO(579cm-1)和2LO(1152cm-1)两个峰位,这些结果表明ZnO薄膜具有单一c轴取向和高质量的纤维锌矿晶体结构。在吸收光谱中观测到自由激子吸收和激子-LO声子吸收峰,这表明在ZnO薄膜中激子稳定的存在于室温,并且两峰之间能量间隔为71.2meV,与文献上报道的ZnO纵向光学声子能量(71meV)相符。室温下在光致发光光谱(PL)中仅观测到位于376nm处的自由激子发光峰,而没有观测到与缺陷相关的深能级发射峰,表明ZnO薄膜具有较高的质量和低的缺陷密度。
蓝镇立张希清杨广武孙建刘凤娟黄海琴张蕊殷鹏刚郭林宋宇晨
关键词:ZNO薄膜光致发光RAMAN散射
MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法
MgZnO日盲光敏电阻器及其制备方法,属于光电子信息领域,主要用于产生低偏压、高响应的日盲光敏电阻器。解决了大组份Mg的MgZnO制备的相分离问题。MgZnO薄膜制备日盲光敏电阻器是在R面蓝宝石衬底生长第一层Mg<Sub...
张希清刘凤娟胡佐富黄海琴王永生
文献传递
光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
本发明公开了一种光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法,属于半导体材料与器件领域。该系统包括在生长室(1)上,衬底(3)的对面或侧壁上,设置照射衬底(3)的光源(5)。该方法的步骤为:1.将清洗过的蓝宝石或石英衬底传...
张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
文献传递
六角形氧化锌单晶的生长和发光特性的研究
近年来,宽禁带半导体材料氧化锌(ZnO)受到了广泛的关注.由于ZnO的禁带宽度达3.37ev,具有良好的光学性能.ZnO材料被认为是制备如紫外LED,激光二极管,紫外光电探测器的优良材料[1-3].从一定程度来说,ZnO...
李振军胡佐富刘凤娟黄海琴张希清
在SiO<Sub>2</Sub>衬底上生长ZnO薄膜的方法
本发明公开了一种在SiO<Sub>2</Sub>衬底上生长ZnO薄膜的方法,属于半导体材料与器件领域,特别是在SiO<Sub>2</Sub>(石英)衬底上用MBE生长ZnO薄膜的方法。该方法的步骤依次为:步骤1,将清洗过...
张希清刘凤娟孙建黄海琴姚志刚王永生
文献传递
ZnO基薄膜的生长及其紫外光敏电阻器的研制
紫外光敏电阻器在光谱分析、火焰检测、臭氧检测、导弹预警、外太空技术和生物医药等领域有着巨大的应用前景,尤其是日盲光敏电阻器可以不受太阳光的干扰,具有较高的准确度。但是目前紫外光敏电阻器的暗光电阻比还不是很高,而且还没有日...
刘凤娟
关键词:ZNO光敏电阻器非极性
文献传递
共2页<12>
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