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张杨波

作品数：4 被引量：4H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇双极工艺
  • 2篇全介质
  • 2篇牺牲层
  • 2篇互补双极工艺
  • 2篇隔离区
  • 2篇SOI材料
  • 1篇单晶
  • 1篇单晶硅
  • 1篇单晶硅片
  • 1篇氮氧化硅
  • 1篇电路
  • 1篇淀积
  • 1篇氧化硅
  • 1篇温度传感器
  • 1篇相对介电常数
  • 1篇介电
  • 1篇介质
  • 1篇精度控制
  • 1篇可集成
  • 1篇集成电路

机构

  • 4篇中国电子科技...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 4篇张杨波
  • 3篇唐昭焕
  • 2篇胡刚毅
  • 2篇任芳
  • 2篇李儒章
  • 2篇税国华
  • 2篇王斌
  • 2篇吴建
  • 1篇赖凡
  • 1篇徐婉静
  • 1篇邱盛
  • 1篇王文捷
  • 1篇阚玲

传媒

  • 2篇微电子学

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅片二上生长埋氧...
唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
文献传递
集成电路温度传感器技术研究进展被引量：4
2017年
与传统传感器相比,集成电路温度传感器具有设计简单、集成度高、响应速度快、精度高、功耗小、体积小、成本低廉等优点,在计算机、通信、电信及工业控制等领域得到广泛的应用。介绍了集成电路温度传感器的技术现状,并以CMOS传感器为重点,从敏感元件、电路设计、制造工艺、高温应用等方面,探讨了智能温度传感器精度控制的关键之处。
任芳徐婉静赖凡张杨波王文捷邱盛
关键词：集成电路温度传感器CMOS工艺精度控制
一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺
2017年
针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81V、电容密度为0.394fF/μm^2的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。
张杨波唐昭焕阚玲任芳
关键词：氮氧化硅相对介电常数介质MOS电容
用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法
一种用于互补双极工艺的全介质隔离SOI材料片的制造方法，步骤包括在单晶硅圆片一上制作N型埋层和P型埋层；在单晶硅圆片一上进行深槽刻蚀、牺牲层氧化、沟阻氧化、淀积填槽多晶硅及CMP多晶硅，形成介质隔离区；在单晶硅圆片二上生...
唐昭焕税国华胡刚毅李儒章王斌张杨波吴建
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