陈庆华
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SiGe HBT及其单片集成电路的研究
- 微波低噪声放大器(LNA)广泛应用于移动通讯、无线电、蓝牙技术等的RF前端。LNA中的有源器件是整个电路的核心，对整个放大器电路的性能有着重要的影响，因此有源器件的设计是LNA的关键技术之一。由于SiGe异质结双极器件(...
- 陈庆华
- 关键词：缓冲层无源器件低噪声放大器单片集成电路
- 文献传递
- C掺杂SiGe HBT
- 2006年
- 硼的瞬时增强扩散(TED)所造成的外扩散将对双极晶体管的性能产生不利影响。在HBT的SiGe区加入C(<1020cm-3),能够抑制掺杂硼的外扩散。文章讨论了C掺杂的SiGe∶CHBT在性能和工艺上的优势。SiGe∶C HBT的静态参数优于普通SiGe HBT。同时,由于SiGe∶C HBT允许高浓度的硼存在于很薄的SiGe基区层,甚至在外延后经注入和退火仍可保持很高浓度的硼掺杂,所以,SiGe∶C HBT的高频特性有很大的提高。
- 陈庆华张庆中
- 关键词：异质结双极晶体管
- 2.4 GHz微波宽带低噪声放大器的设计被引量：2
- 2006年
- 采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC;应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件,并利用ADS2004A和APPCAD软件工具对具体电路增益、噪声系数、回波损耗等各项技术指标进行了仿真、设计、优化;最后达到了项目的设计要求,该放大器的研究成功将有助于蓝牙计划和无线局域网的实现。
- 张华斌张庆中陈庆华
- 关键词：异质结微波单片集成电路回波损耗
- SiGe HBT及其在射频LNA中的应用被引量：2
- 2006年
- 随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGeHBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分。在本文中详细地讨论了SiGeHBTLNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等。并讨论了SOI衬底上的SiGeHBTLNA的应用和BiCMOS工艺上SiGeHBTLNA的应用。
- 向旺张庆中张华斌陈庆华赵翔
- 关键词：HBTSOI工艺BICMOS工艺
