张华斌
- 作品数：4 被引量：29H指数：2
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 红外焦平面阵列技术现状和发展趋势被引量：25
- 2005年
- 红外热成像技术是国家安全依赖的主要探测技术手段,已在卫星、导弹、飞机等军事领域获得了广泛的应用。同时随着非致冷红外成像技术的发展,尤其是制造成本大幅度的降低,其在工业、医疗、民用方面的应用也日渐增多。本文介绍了红外焦平面阵列的原理、结构及其分类,着重分析了读出电路的各种性能,并对国内外研制以及生产情况进行了比较。
- 张华斌张庆中
- 关键词：非致冷热成像红外焦平面
- 2.4 GHz微波宽带低噪声放大器的设计被引量：2
- 2006年
- 采用SiGe异质结双极型晶体管来设计具有开关功能低成本的新型放大器MMIC;应用微波相关的理论和方法选择满足本设计指标要求的器件,并利用ADS2004A和APPCAD软件工具对具体电路增益、噪声系数、回波损耗等各项技术指标进行了仿真、设计、优化;最后达到了项目的设计要求,该放大器的研究成功将有助于蓝牙计划和无线局域网的实现。
- 张华斌张庆中陈庆华
- 关键词：异质结微波单片集成电路回波损耗
- SiGe HFIC宽带低噪声放大器的研究
- 低噪声放大器/(LNA/)广泛应用于通讯、电子对抗等系统的接收装置的前端,其性能的好坏对整个接收装置有重要的影响。对微波高频宽带低噪声放大器的要求是:低功耗、低成本、宽带、高线性度和低噪声。论文应用多种技术和方法设计了一...
- 张华斌
- 关键词：微波低噪声放大器宽带电压驻波比
- 文献传递
- SiGe HBT及其在射频LNA中的应用被引量：2
- 2006年
- 随着无线通信、蓝牙技术、雷达及航天技术的发展,对其射频部分的技术指标要求和成本要求越来越苛刻。新型异质结器件异军突起,不断满足其要求,SiGeHBTLNA就是其中之一。基于Si的制造工艺,SiGeHBT本身就具有很好的成本优势,能有效的将CMOS电路集成到一起,并且经过不断地研究,SiGeHBT已经在技术指标上得到了突飞猛进的发展,达到了未成预料到的结果,使其对GaAs、InP等器件提出了巨大挑战,这些优点都使得它成为主流工艺,为射频不可或缺的一部分。在本文中详细地讨论了SiGeHBTLNA的基本工作原理,以及其直流特性、交流特性、噪声特性等。并讨论了SOI衬底上的SiGeHBTLNA的应用和BiCMOS工艺上SiGeHBTLNA的应用。
- 向旺张庆中张华斌陈庆华赵翔
- 关键词：HBTSOI工艺BICMOS工艺
