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冯丹丹

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:杭州电子科技大学电子信息学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金浙江省科技计划项目更多>>
相关领域:理学电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇低压
  • 2篇低压压敏电阻
  • 2篇低压压敏电阻...
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻器
  • 2篇压敏
  • 2篇压敏电阻
  • 2篇压敏电阻器
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇衬底
  • 1篇射线衍射
  • 1篇镍含量
  • 1篇阈值电压
  • 1篇无损检测
  • 1篇晶体薄膜
  • 1篇光谱
  • 1篇反射光
  • 1篇反射光谱
  • 1篇UV-VIS
  • 1篇XO

机构

  • 4篇杭州电子科技...
  • 2篇浙江大学

作者

  • 4篇毛启楠
  • 4篇季振国
  • 4篇冯丹丹
  • 1篇张春萍
  • 1篇席俊华
  • 1篇袁苑
  • 1篇柯伟青
  • 1篇陈敏梅
  • 1篇郝芳

传媒

  • 2篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种基于镍锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器
本发明公开了一种基于镍锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器,它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镍锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中,镍锌氧化物薄膜的分子式为Ni<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O,x的...
季振国毛启楠冯丹丹
文献传递
利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分被引量:1
2008年
结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题。这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaNHEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本。
季振国冯丹丹席俊华毛启楠袁苑郝芳陈敏梅
关键词:X射线衍射无损检测
一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器
本发明公开了一种基于镁锌氧化物薄膜的低压压敏电阻器,它主要由绝缘衬底、金属薄膜下电极、镁锌氧化物薄膜和金属薄膜上电极组成。其中,所述镁锌氧化物薄膜为高度c轴取向的晶体薄膜,它的分子式为Mg<Sub>x</Sub>Zn<S...
季振国毛启楠冯丹丹
文献传递
利用Mg含量控制Zn_(1-x)Mg_xO薄膜压敏电阻器的阈值电压被引量:1
2010年
利用溶胶-凝胶法制备了Zn1-xMgxO压敏薄膜,并通过X射线衍射、X射线能谱、紫外-可见光谱仪、I-V特性测试仪等对薄膜及其压敏特性进行了表征。XRD结果表明,掺Mg后Zn1-xMgxO薄膜仍然为六方纤锌矿ZnO晶体结构;紫外-可见吸收谱表明,随着薄膜中Mg含量的增加,薄膜的吸收边蓝移,禁带宽度增加。I-V特性曲线表明,基于Al/Zn1-xMgxO/Si结构的薄膜压敏电阻器的阈值电压随着Mg含量的增加而增加,因此可以通过调节Mg含量实现对Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器阈值电压的调节。上述现象表明,Zn1-xMgxO薄膜压敏电阻器的压敏阈值电压与禁带宽度有关,即与Zn1-xMgxO薄膜中电子的本征跃迁有关。
季振国张春萍冯丹丹柯伟青毛启楠
关键词:阈值电压
共1页<1>
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