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徐州市城市大气中的PAHs来源解析被引量：2: 2013年; 采用化学质量平衡模型(CMB)对徐州市大气颗粒物中的多环芳烃(PAHs)进行来源分析,从而来确定各个源对大气的PAHs贡献值。主要通过利用大流量采样器配置PM10切割头在冬季和夏季对不同功能区,即生活区、工业区和旅游区采样大气中的可吸入颗粒物(PM10)样品,并用高效液相色谱法(HPLC)重点分析和研究了美国环保局(EPA)列出的16种PHAS优先污染物。研究结果表明:徐州市PM10污染比较严重,PM10污染质量浓度水平冬季是(288.81μg·m-3)大于夏季(276.34μg·m-3),特别是工业区,污染数值达到393.13μg·m-3。夏季的总PAHs质量浓度为22.89 ng·m-3,分别是生活区28.35 ng·m-3、工业区21.75 ng·m-3和旅游区18.58 ng·m-3。冬季的总PAHs质量浓度为306.29 ng·m-3,分别是工业区388.03ng·m-3、生活区276.29 ng·m-3和旅游区254.28 ng·m-3。夏季和冬季情况下,旅游区的污染相对来说都是最低的PM10中多环芳烃的源解析结果为,煤烟尘污染源的全年贡献率为64.00%,冬季煤烟尘污染源的贡献率为66.51%,夏季煤烟尘污染源的贡献率为57.21%,说明煤烟尘是PM10中多环芳烃的主要贡献源,土壤尘次之,全年贡献率为24.90%,冬季为25.48%,夏季为28.97%,因此。; 陈飞秦传高钟秦; 关键词：PM10 城市大气

半导体桥静电作用前后点火特性被引量：2: 2012年; 对静电作用过的半导体桥和未经受静电作用的半导体桥进行D-最优化点火实验,得到全发火电压,并在全发火电压下点火,用示波器采集电压、电流以及发火时间等信号,用显微镜观察桥面的烧蚀情况并计算烧蚀面积。分析得到:静电对半导体桥的桥膜产生了损伤,静电电压越大,烧蚀面积越大;经过静电作用的桥与未静电作用的桥相比,全发火电压降低,发火能量减小,桥变得更加敏感。对全发火电压下的发火能量和发火时间进行t检验,得到21 kV是临界值,静电电压大于21 kV,静电对桥的性能影响明显;小于21 kV,静电对桥的影响不大。; 郭晓荣朱顺官张琳马鹏陈飞王大为; 关键词：军事化学与烟火技术半导体桥静电放电电容放电 T检验

半导体桥上尖角、圆孔对其电爆性能的影响(英文)被引量：1: 2009年; 设计了14种带有尖角和圆孔的半导体桥,研究了在电容放电发火条件下尖角、圆孔对其发火时间、发火所消耗的能量等性能参数的影响规律,并从半导体桥的作用机理方面对实验结果进行了分析。结果表明,SCB上V型尖角使得SCB发火时间和发火所消耗的能量明显降低,而圆孔对SCB发火性能影响不明显。; 周彬毛国强秦志春祝逢春徐振相陈飞张文超; 关键词：应用化学火工品半导体桥发火时间

半导体桥火工品的防静电和防射频技术被引量：13: 2010年; 对电火工品及半导体桥火工品防静电、防射频的常用方法进行了分析和概述,防静电方法主要是采用绝缘环或者泄放通道,防射频方法主要是采用屏蔽和低通滤波器。指出了现有常用技术存在的问题和今后的发展方向,认为现有方法无法完全泄放杂散静电、很难做到无缝隙屏蔽,或会增加火工品体积和质量。利用微电子保护电路,是半导体桥火工品静电和射频防护技术未来的发展方向。; 陈飞周彬秦志春李敏李鹏; 关键词：半导体桥火工品电火工品静电防护

负温度系数热敏电阻用于半导体桥火工品射频防护的研究被引量：6: 2012年; 为了提高半导体桥(SCB)火工品的抗射频干扰性能,采用具有负温度系数(NTC)特性的热敏电阻与火工品并联。该文采用红外显微测温、1A1W5min试验、射频感度试验及电容放电发火试验。试验结果表明:热敏电阻可以降低SCB桥区温度;在1A1W5min、射频注入22 W条件下不发火;且射频实验后,电容放电可以使其正常发火。NTC热敏电阻可以有效地提高SCB的抗射频性能,且不影响火工品的发火性能,是火工品抗射频干扰可行的新方法。; 陈飞周彬秦志春; 关键词：火工品半导体桥负温度系数热敏电阻

静电放电对SCB起爆装置作用的数值模拟及实验研究被引量：1: 2012年; 为了研究静电放电对半导体桥(SCB)起爆装置的作用机理,根据静电作用的特点,对SCB起爆装置进行静电放电实验,建立了电容放电的电-热分析模型,利用有限元分析软件AN-SYS对静电作用过程的温度场进行模拟仿真。扫描电镜观测和X射线能谱分析可知,半导体桥的尖角处电流密度最大,温度最高;静电通过焦耳热效应作用于SCB起爆装置,使得桥的尖角区域最先汽化损伤。研究结果可为SCB起爆装置的抗静电危害设计提供参考。; 陈飞周彬秦志春沈瑞琪; 关键词：起爆装置半导体桥静电放电电流密度焦耳热扫描电镜

火工品用复合半导体桥技术的研究与发展被引量：8: 2013年; 具有低发火能量、高瞬发度、高安全性以及比多晶硅半导体桥更高的能量输出优异性能的复合半导体桥(SCB)点火起爆装置(EED),是一类采用现代微电子工艺,由反应材料与半导体桥相结合的新型点火产品。从理论、结构、性能不同角度,综述了复合半导体桥EED的研究进展与优缺点。为增大SCB点火性能提供可行的依据和参考,对比分析了多层复合膜点火桥的结构特点、反应材料、发火条件、输出性能。认为多层复合SCB是多晶硅半导体桥的理想改进产品,具有更广泛的应用范围和前景。; 李勇周彬秦志春沈瑞琪陈飞杜培康贾昕文雷鸣张君德; 关键词：军事化学与烟火技术火工品半导体桥

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陈飞