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顾黎明

作品数：11 被引量：6H指数：1
供职机构：南京理工大学更多>>
发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 6篇电路
  • 4篇端口
  • 4篇匹配电路
  • 4篇环行器
  • 4篇功率容量
  • 3篇带宽
  • 3篇带通
  • 3篇带通滤波
  • 3篇带通滤波器
  • 3篇单片
  • 3篇单片集成
  • 3篇有源
  • 3篇射频
  • 3篇射频前端
  • 3篇阻抗匹配
  • 3篇阻抗匹配电路
  • 3篇滤波
  • 3篇滤波器
  • 3篇滤波性能
  • 2篇氮化镓

机构

  • 11篇南京理工大学

作者

  • 11篇顾黎明
  • 10篇车文荃
  • 9篇冯文杰
  • 6篇蔡奇
  • 4篇陈海东
  • 3篇李飞
  • 3篇马亚林
  • 3篇王晴
  • 3篇毛金荣
  • 2篇张觅
  • 1篇杨国彪

传媒

  • 1篇电子学报

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器
本发明涉及一种新型的带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器。该可重构滤波器包括上层微带结构，中间层介质基板，和下层接地金属；上层微带结构由一个输入端口、一个输入馈电网络、一个输入可调阻抗匹配电路、一个十字形可调多...
车文荃毛金荣顾黎明冯文杰王晴李飞周家根马亚林
文献传递
一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器
本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaNHEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术...
车文荃顾黎明蔡奇张觅冯文杰
基于GaN的单片及混合集成电路的研究与设计
随着电子信息技术的快速发展，各类半导体电子产品已经遍及人们的日常生活，它们可用作信息传输、信息存储、信息探测、激光与光学显示，以及各种控制器件等。它们的发展与各种新型半导体材料以及工艺的更新换代密不可分。GaN和SiC等...
顾黎明
关键词：单片集成电路混合集成电路氮化镓
带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器
本发明涉及一种新型的带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器。该可重构滤波器包括上层微带结构，中间层介质基板，和下层接地金属；上层微带结构由一个输入端口、一个输入馈电网络、一个输入可调阻抗匹配电路、一个十字形可调多...
车文荃毛金荣顾黎明冯文杰王晴李飞周家根马亚林
一种带有反相单元的小型化宽带双面平行带线混合环被引量：6
2011年
本文研究了一种利用双面平行带线(Double-Sided Parallel Strip Line,DSPSL)反相器和加载微带分支电路来设计的混合环.文中首先介绍了设计理论和思路,并给出了设计实例和测试结果.结果表明:该混合环的尺寸可缩小为常规混合环的11%,相对带宽达到了82%,中心频率点处反射损耗在-20dB以下,通带内隔离度达到了-30dB.
杨国彪车文荃顾黎明
关键词：混合环宽带反相器
基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器
本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威...
车文荃顾黎明蔡奇冯文杰陈海东
文献传递
基于GaN HEMT 工艺的单片集成有源准环形器
本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器...
车文荃顾黎明蔡奇陈海东冯文杰
文献传递
带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器
本实用新型涉及一种新型的带宽调节范围宽且性能可控的射频可重构带通滤波器。该可重构滤波器包括上层微带结构，中间层介质基板，和下层接地金属；上层微带结构由一个输入端口、一个输入馈电网络、一个输入可调阻抗匹配电路、一个十字形可...
车文荃毛金荣顾黎明冯文杰王晴李飞周家根马亚林
文献传递
基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器
本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威...
车文荃顾黎明蔡奇冯文杰陈海东
文献传递
基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器
本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器...
车文荃顾黎明蔡奇陈海东冯文杰
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