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蔡奇

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇端口
  • 4篇环行器
  • 4篇功率容量
  • 3篇电路
  • 3篇有源
  • 3篇功率放大
  • 3篇功率放大器
  • 3篇放大器
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇噪声
  • 2篇噪声性能
  • 2篇前馈
  • 2篇前馈补偿
  • 2篇环形器
  • 2篇功分
  • 2篇功分器
  • 2篇功率合成
  • 2篇MMIC功率...
  • 1篇氮化镓

机构

  • 7篇南京理工大学

作者

  • 7篇蔡奇
  • 6篇冯文杰
  • 6篇车文荃
  • 6篇顾黎明
  • 4篇陈海东
  • 2篇张觅

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
基于GaN HEMT 工艺的单片集成有源准环形器
本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器...
车文荃顾黎明蔡奇陈海东冯文杰
文献传递
高线性度高效宽带微波功放研究
随着无线通信技术的飞速发展，高质量、高速率的数据传输成为当前以及未来人们越来越关注的热点话题，这对射频发射机系统的性能提升提出了迫切要求。功率放大器作为发射机系统的关键模块，面临着巨大的技术挑战和发展机遇，功率放大器的线...
蔡奇
关键词：微波功率放大器模拟预失真功率效率电路设计
基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器
本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威...
车文荃顾黎明蔡奇冯文杰陈海东
文献传递
基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器
本发明公开了一种基于GaN MMIC功率放大器的混合集成有源环行器，包括3个威尔金森功分器和3个功率放大器，所述3个功率放大器均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上，三个威尔金森功分器均在PCB上加工，威...
车文荃顾黎明蔡奇冯文杰陈海东
文献传递
基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器
本发明公开了一种基于GaN HEMT工艺的单片集成有源准环形器，包括顺次相连的发射支路功率放大器、集总式功分器和接收支路功率放大器，该三个电路均采用AlGaN/GaN HEMT工艺加工于一个单片上；所述发射支路功率放大器...
车文荃顾黎明蔡奇陈海东冯文杰
文献传递
一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器
本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaN？HEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技...
车文荃顾黎明蔡奇张觅冯文杰
文献传递
一种采用前馈抵消法的GaN混合集成有源准环行器
本发明提出一种基于前馈补偿技术的GaN有源准环行器。该器件在发射支路采用了GaNHEMT用来实现发射支路的高增益以及单向传输特性，而为了抑制由于发射支路高增益带来的从发射端口到接收端口之间的功率泄漏，采用了前馈补偿的技术...
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