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张瑞丽

作品数：8 被引量：18H指数：2
供职机构：浙江理工大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目浙江省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 3篇锗烷
  • 3篇锗
  • 2篇性能研究
  • 2篇提纯
  • 1篇单晶
  • 1篇电池
  • 1篇钝化
  • 1篇钝化膜
  • 1篇液氨
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇直拉法
  • 1篇入炉
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇碳化硅
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇提纯方法
  • 1篇抛光
  • 1篇气体分子

机构

  • 8篇浙江理工大学
  • 2篇浙江机电职业...
  • 1篇杭州士兰集成...

作者

  • 8篇张瑞丽
  • 7篇席珍强
  • 6篇张秀芳
  • 4篇杜平凡
  • 4篇张亚萍
  • 3篇孙法
  • 2篇问明亮
  • 2篇杜红文
  • 2篇张亚萍
  • 2篇姚晓辉
  • 1篇姚奎鸿
  • 1篇蒋敏

传媒

  • 3篇浙江理工大学...
  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
PECVD法制备碳化硅薄膜的减反射性能研究被引量：5
2010年
利用正交实验方法,探讨PECVD法制备碳化硅薄膜沉积参数变化对其减反射性能的影响,并进一步研究不同沉积参数对薄膜沉积速率和折射率的影响规律。结果表明,沉积参数中衬底温度是影响碳化硅薄膜减反射性能的主要因素;薄膜的生长速率随着衬底温度和硅烷与甲烷流量比的升高而降低,并且薄膜的折射率随衬底温度的升高而增大,但气体流量比对折射率的影响不大。
张瑞丽杜红文张亚萍杜平凡问明亮张秀芳席珍强
关键词：PECVD碳化硅薄膜正交实验
热处理对铜玷污单晶锗(111)光学性能的影响
2010年
采用傅里叶红外光谱测试技术,研究快速热处理(RTP)和常规热处理(CFP)对表面铜玷污单晶锗红外透过率的影响。结果表明:样品的红外透过率随热处理温度的上升呈增大趋势。样品经过短时间抛光后,红外透过率恢复至初始大小。分析表明Cu-Ge的互扩散及界面反应是造成透过率改变的主要原因。
孙法蒋敏张亚萍张秀芳张瑞丽姚晓辉席珍强
关键词：红外透过率
抛光前Si(100)单晶片表面粗糙度的研究
2010年
采用光学显微镜、原子力显微镜和表面轮廓仪等测试方法系统研究了温度和NaOH浓度对Si（100）单晶片表面粗糙度的影响，结果表明：低温下，硅片表面的缺陷和损伤引起的局部腐蚀速率较大，是造成硅片表面粗糙度大的主要原因；而高温下温度的影响大于表面缺陷和损伤的影响，局部腐蚀速率差减小，硅片表面较为平整。另外，硅片在质量分数为20％～30％的NaOH溶液中腐蚀后粗糙度较小，是因为硅片在此浓度范围的腐蚀液中腐蚀速率较快，而浓度较高时腐蚀速率反而变慢的缘故。
张秀芳杜红文张瑞丽张亚萍孙法席珍强
关键词：表面粗糙度温度
太阳能电池用α-SiC<,x>：H薄膜的制备与性能研究
高效率低成本的晶体硅太阳能电池的制备对于大规模利用太阳能发电有着十分重要的意义。制备性能优良的减反射钝化薄膜是生产高效率低成本晶体硅太阳电池的重要工序之一。采用PECVD（等离子体增强化学气相沉积）设备制备的硅太阳能电池...
张瑞丽
关键词：太阳能电池
一种锗烷提纯的方法
本发明公开了一种锗烷提纯的方法。根据纯度为92％～96％的中所含气体分子的相关物理参数以及分子筛的吸附特性，选用4A和5A两种分子筛；粗锗烷依次通过装有4A和5A分子筛的吸附柱后，用锗烷收集系统收集得到纯度为99％～99...
席珍强杜平凡张瑞丽张秀芳张亚萍姚晓辉
文献传递
一种制备锗烷的方法
本发明公开了一种制备锗烷的方法。以锗化镁和氯化铵为原料，用液氨作为反应介质，制备锗烷。反应按方程式：Mg<Sub>2</Sub>Ge+NH<Sub>4</Sub>Cl－GeH<Sub>4</Sub>+2MgCl<Sub>...
席珍强杜平凡张瑞丽问明亮
文献传递
一种合成锗化镁的方法
本发明公开了一种合成锗化镁的方法。将锗粉和镁粉按物质的量之比1∶2均匀混和后装入反应器并加封盖，将反应器推入炉管。用机械泵将炉管内抽至真空，移入加热炉，开始升温。当温度达到合成所需的500～600℃后，保温1～3小时使反...
席珍强杜平凡张瑞丽张亚萍张秀芳姚奎鸿
文献传递
锗单晶材料的生长与应用被引量：13
2009年
锗单晶材料由于独特的性能而被广泛应用于微电子技术、红外技术、核探测、太阳电池等多个领域。简要介绍了直拉生长的工艺及特点，无位错直拉锗单晶的生长与现状，以及锗单晶材料在不同领域的应用和发展。
张亚萍席珍强张瑞丽张秀芳孙法
关键词：锗单晶直拉法
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