张霄
- 作品数：4 被引量：17H指数：2
- 供职机构：西安工业大学光电工程学院陕西省薄膜技术与光电检测重点实验室更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- PECVD法在硅基底上沉积SiO2薄膜的光学特性研究
- 目前,用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制作SiO单层介质膜以其优良的物理性能而广泛的应用在微电子领域。由于SiO薄膜具有较低的折射率、熔点高、膜层牢固、抗磨耐腐蚀、保护能力强、对光的散射吸收小等独特性能,因而...
- 张霄杭凌侠周顺
- 文献传递
- PECVD工艺参数对SiO_2薄膜光学性能的影响被引量：4
- 2010年
- 为探索利用等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depo-sition,PECVD)技术制作光学薄膜的有效方法.以SiH4和N2O作为反应气体,通过采用M-2000UI型宽光谱变角度椭圆偏振仪对制作样片进行测试,分析了薄膜沉积过程中的不同的工艺参数对SiO2薄膜光学性能的影响.实验结果表明:在PECVD技术工作参数范围内,基底温度为350℃,射频功率为150 W,反应气压为100 Pa时,能够沉积消光系数小于10-5,沉积速率为(15±1)nm/min,折射率为(1.465±0.5)×10-4的SiO2薄膜.
- 杭凌侠张霄周顺
- 关键词：二氧化硅薄膜工艺参数薄膜光学特性
- PECVD技术制备光学减反射膜工艺探索被引量：12
- 2011年
- 讨论了采用PECVD方法在K9玻璃基底上制备SiO2、SiNx、以及SiOxNy薄膜材料的工艺参数与薄膜光学特性、沉积速率的关系,并且运用掌握的工艺参数成功地制备了400～800nm波长范围双层、梯度折射率减反射膜样片。实验结果表明,采用PECVD方法能够制备折射率可控的光学薄膜材料,沉积薄膜厚度的精度可以控制在7%以内。
- 张霄杭凌侠
- 关键词：PECVD工艺参数薄膜光学特性
- PEVCD技术制作减反膜研究
- 等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术最早是应半导体工业发展需要而出现的，目前广泛的用于微电子行业。PECVD技术又以其良好的均匀性和阶梯覆盖性、沉积薄膜致密、膜层与基体的结合力高、沉积速度快等特点，应用在二元光学、...
- 张霄
- 关键词：光学材料介质薄膜激光损伤薄膜光学
- 文献传递
