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曹孜

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:北京有色金属研究总院更多>>
发文基金:国家科技重大专项更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇单晶
  • 2篇氧化诱生层错
  • 2篇硅单晶
  • 1篇直拉硅
  • 1篇直拉硅单晶
  • 1篇抛光片
  • 1篇重掺硅
  • 1篇重掺杂
  • 1篇无铬
  • 1篇SI单晶
  • 1篇CR

机构

  • 2篇北京有色金属...

作者

  • 2篇孙燕
  • 2篇曹孜
  • 2篇李惠
  • 2篇石宇
  • 1篇边永智
  • 1篇周旗钢
  • 1篇翟富义
  • 1篇刘云霞

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2010
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量:1
2010年
Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。
刘云霞周旗钢孙燕石宇曹孜李惠
关键词:氧化诱生层错硅单晶抛光片
重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
2010年
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度。实验还发现,对于〈100〉重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液,而对于〈111〉重掺样品,未见明显差异。最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因。
曹孜石宇李惠孙燕边永智翟富义
关键词:重掺硅单晶氧化诱生层错
共1页<1>
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