孙燕
- 作品数：4 被引量：10H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 测试方法对硅片表面微粗糙度测量结果影响的研究被引量：6
- 2009年
- 随着大规模集成电路的快速发展,硅片表面微粗糙度对于器件制造的影响也越来越受到人们的重视。介绍了几种测量硅片表面微粗糙度的测试方法,并将它们分成三类,简单阐述了每一类测试方法的测试原理,影响测试结果的因素,从实际应用的角度详细阐述了这三类测试方法的适用情况、通过详细的测试数据及图形对这三类测试方法进行了分析,并对这三类测试方法进行了比较。最后简单介绍了纳米形貌和硅片表面微粗糙度之间的关系。
- 孙燕李莉孙媛李婧璐李俊峰徐继平
- 关键词：硅片
- 无Cr腐蚀液显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错被引量：1
- 2010年
- Si抛光片的氧化诱生层错(OSF)是一种重要的工艺诱生缺陷,为提高Si抛光片质量,应对氧化诱生层错的产生有充分的认识和了解,并加以克服,而简单、快捷、准确地显示缺陷是首要条件。介绍了采用环保的无Cr腐蚀液显示氧化诱生层错,实验发现无Cr腐蚀液能很好地显示氧化诱生层错,比较了无Cr腐蚀液和其他常用腐蚀液的缺陷腐蚀形貌,探讨了无Cr腐蚀液的腐蚀机理及腐蚀条件。实验发现环保的无Cr腐蚀液能很好地显示直拉Si单晶中的氧化诱生层错,能应用于生产。
- 刘云霞周旗钢孙燕石宇曹孜李惠
- 关键词：氧化诱生层错硅单晶抛光片
- 重掺杂直拉硅单晶氧化诱生缺陷的无铬腐蚀研究
- 2010年
- 采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧化诱生缺陷。实验表明反应过程中温度控制在25-30℃,腐蚀液中适当增加缓冲溶剂,可以很好地控制表面腐蚀速度。实验还发现,对于〈100〉重掺样品,使用有搅拌的改良Dash无铬溶液显现的损伤缺陷密度低于有铬择优腐蚀液,而对于〈111〉重掺样品,未见明显差异。最后,探讨了在使用无铬溶液显示重掺Sb晶体缺陷时,缺陷难显现,而且密度低的原因。
- 曹孜石宇李惠孙燕边永智翟富义
- 关键词：重掺硅单晶氧化诱生层错
- 表面光电压测量P型硅抛光片少子扩散长度及铁杂质含量的研究被引量：3
- 1999年
- 表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用 .本文简述了该方法的测量原理 ,给出了直径 1 2 5mm硅抛光片少子扩散长度及铁杂质浓度的测量数据 ,讨论了生产工艺对硅抛光片表面质量的影响 .
- 屠海令朱悟新王敬周旗钢张椿孙燕
- 关键词：表面光电压法硅抛光片少子扩散长度
