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李军

作品数：1 被引量：14H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院声光材料与器件教育部重点实验室更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇线阵列
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米线阵列
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇发光
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线
  • 1篇ZNO纳米线...
  • 1篇场发射
  • 1篇场发射性能
  • 1篇场致电子发射

机构

  • 1篇武汉大学

作者

  • 1篇方国家
  • 1篇李春
  • 1篇艾磊
  • 1篇刘逆霜
  • 1篇赵兴中
  • 1篇王明军
  • 1篇李军

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能被引量：14
2008年
采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。
方国家王明军刘逆霜李春艾磊李军赵兴中
关键词：ZNO纳米线阵列光致发光场致电子发射
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