陈思哲
- 作品数：12 被引量：17H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 一种新型的功率模块
- 本发明提供一种新型的功率模块，包括外壳、衬底、基板、芯片，衬底连接散热器，芯片与基板固定连接，基板与衬底固定连接，功率模块内部具有冷却介质流经回路，冷却介质流经回路包括散热通道、冷却介质入口、冷却介质出口，散热通道、冷却...
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- 文献传递
- 一种新型功率半导体器件模块
- 本发明提供了一种散热效率高的新型的功率模块的设计方案，该模块包括模块外壳，在所述模块外壳内从下至上设置有衬底、直接覆铜层、至少两个半导体芯片以及模块外壳与衬底、直接覆铜层和半导体芯片之间填充的绝缘冷却液，所述绝缘冷却液可...
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- 电力电子功率模块散热结构
- 一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为ρ1，铜的热导率为ρ2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h；DBC上铜层为棱...
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- 文献传递
- 4700V碳化硅PiN整流二极管被引量：10
- 2015年
- 碳化硅Pi N二极管是一种理想的高压二极管器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点。通过使用有限元分析的方法对器件外延层参数以及终端结构进行了仿真,提出了优化的器件原胞和终端设计。基于50μm厚、掺杂浓度为1.5×10^(15)cm^(-3)的N型低掺杂外延,制备了电压阻断能力达到4 700V的高压碳化硅整流二极管。制备的器件具有较低的漏电流以及良好的正向导通能力,在100A/cm^2的电流导通密度条件下,器件的最低正向导通压降为3.6V。为进一步研制高压大功率碳化硅二极管器件模块提供了良好的基础。
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- 关键词：整流二极管
- 一种电缆故障点距离测量装置
- 本方法公开了一种电缆故障测距装置，由电源模块、控制模块、脉冲产生模块、积分模块和显示模块五个部分组成，其中控制模块经脉冲产生模块向电缆上发出入射信号，入射信号对积分模块中的D触发器触发，产生高电平对积分电路充电。入射信号...
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- 4500V碳化硅SBD和JFET功率模块的制备与测试被引量：8
- 2015年
- 基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。
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- 关键词：碳化硅肖特基势垒二极管结型场效应晶体管功率模块
- 3500V,15A全碳化硅功率模块制备与测试
- 碳化硅(SiC)功率器件是一种理想的高压大容量电力电子器件,具有高阻断电压以及高电流导通密度的特点,在新能源开发、轨道交通、电网革新以及国防装备电气化方面具有重大应用潜力.本文基于具有自主知识产权的碳化硅结型场效应晶体管...
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- 关键词：结型场效应晶体管肖特基势垒二极管
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- 高压SiC JFET器件的设计、制备与应用研究
- 作为宽禁带半导体的典型代表，碳化硅(SiC)被认为是功率半导体器件的理想材料。与硅(Si)基器件相比，SiC功率器件具有高击穿电压、高工作频率以及耐高温等特点，有望进一步扩展电力电子技术在电网、新能源发电、车辆牵引以及国...
- 陈思哲
- 关键词：场效应器件晶体管设计
- 含有导热颗粒填充物的功率器件模块
- 本发明涉及一种半导体装置，主要是指电力电子功率模块。本发明公开了将高导热颗粒融入功率模块的填充物的实施方案，使得功率模块具有了双面散热的可能性。本发明提升了半导体功率模块的散热能力，实现了模块的双面散热。
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- 电力电子功率模块散热结构
- 一种电力电子功率模块散热结构，由上之下依次为热源、DBC上铜层、DBC陶瓷层和DBC下铜层，其中DBC陶瓷层热导率为ρ1，铜的热导率为ρ2，DBC陶瓷层长度为L3，热源长度为L1，DBC上铜层的厚度为h；DBC上铜层为棱...
- 郭清翟超汪涛盛况陈思哲
