您的位置： 专家智库 > >

郭清

作品数：97 被引量：55H指数：4
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 76篇专利
  • 15篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 20篇电子电信
  • 9篇自动化与计算...
  • 7篇电气工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇建筑科学
  • 1篇经济管理
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇政治法律

主题

  • 20篇功率模块
  • 15篇散热
  • 14篇半导体
  • 13篇芯片
  • 11篇电力
  • 11篇电路
  • 11篇碳化硅
  • 9篇电力电子
  • 8篇电感
  • 8篇陶瓷层
  • 7篇电场
  • 7篇电场分布
  • 7篇源区
  • 7篇晶体管
  • 7篇集成电路
  • 6篇电荷
  • 6篇绝缘栅
  • 6篇二极管
  • 6篇并联
  • 5篇电阻

机构

  • 97篇浙江大学
  • 2篇安徽电气工程...
  • 2篇绍兴市科技创...
  • 1篇北京国联万众...
  • 1篇浙江大学绍兴...
  • 1篇广东电网有限...
  • 1篇北京华商三优...

作者

  • 97篇郭清
  • 73篇盛况
  • 20篇汪涛
  • 18篇任娜
  • 15篇谢刚
  • 10篇翟超
  • 7篇程士东
  • 7篇周伟成
  • 6篇谷彤
  • 6篇陈思哲
  • 5篇张斌
  • 5篇崔京京
  • 4篇李武华
  • 4篇陈宏
  • 3篇刘立
  • 3篇蔡超峰
  • 3篇吴新科
  • 2篇刘晓鹏
  • 2篇姚文熙
  • 2篇李琦

传媒

  • 3篇机电工程
  • 1篇电子测试
  • 1篇半导体技术
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇实验室研究与...
  • 1篇电力建设
  • 1篇电工技术
  • 1篇无线互联科技
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇南方电网技术
  • 1篇科教导刊
  • 1篇电源学报
  • 1篇中国电工技术...

年份

  • 5篇2024
  • 5篇2023
  • 7篇2022
  • 10篇2021
  • 8篇2020
  • 5篇2019
  • 4篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 4篇2015
  • 17篇2014
  • 7篇2013
  • 9篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2007
共 97 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
SiC MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性评估被引量：1
2018年
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(Si C MOSFET)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)这两种器件内部存在容易捕获电子的"陷阱",会影响导电沟道的性能,进而影响器件的导通电阻。对SiC MOSFET和GaN HEMT各选取了一款典型的商用器件,分别对Si C MOSFET和GaN HEMT的导通电阻可靠性进行了测试。测试结果表明,Si C MOSFET的导通电阻变化量相对小,且应力停止后导通电阻可以恢复到初始状态,这说明其界面态陷阱密度比GaN HEMT更低,因此实际应用中无需考虑导通电阻的稳定性;而GaN HEMT的动态电阻变化较大,这极大地增加了导通损耗,影响系统的可靠性,因此在实际应用中需要考虑导通电阻变化对导通性能的影响。
蒋多晖周伟成张斌郭清
关键词：可靠性
使用小焊块取代焊锡片的焊接方式
本发明涉及一种功率器件中芯片底部焊接层的设计，公开了一种用小焊块取代焊锡片的方法。它减薄了芯片底部焊接层的厚度，提升了它的散热能力，并在一定程度上缓减了不同的结温变化对模块失效的位置和机理的影响。
王柳敏盛况汪涛郭清谢刚
文献传递
一种半导体功率芯片的批量分类方法
一种半导体功率芯片的批量分类方法，包括：选取一组半导体功率芯片获得其电学特性数据，通过对数据进行分类处理，筛选出不同等级的半导体功率芯片；其中所述分类处理包括将测量数据值进行预处理得到矫正电学特性值，计算每一半导体功率芯...
盛况龙虎郭清任娜
文献传递
一种钉台
本实用新型公开了一种钉台，包括插接部、夹持部和台面部，夹持部位于台面部的下端面，且与台面部固定连接，插接部与夹持部可拆卸连接，台面部包括圆台，圆台的上端面设有长方体凹槽，圆台上对称的设有两个限位螺丝，两个限位螺丝分别位于...
胡建力郭清张斌
一种压接型IGBT器件的测试装置
本发明涉及半导体测试技术领域中的一种压接型IGBT器件的测试装置，包括下压组件、定位组件以及滑动设置于定位组件上的第一压板、第二压板，且第一压板与第二压板相对设置，定位组件固定安装在支撑台上，下压组件固定在定位组件上，并...
郭清盛况马凯张军明张斌胡建力林氦唐鲁斌沈洋羿李盈谭令其
一种适用于集成电路的碳化硅平面型功率场效应晶体管
本发明公开了一种适用于集成电路的平面型功率场效应晶体管，包括源极(1)、栅极(2)、漏极(3)、氧化层(4)、N<Sup>+</Sup>源区(5)、P<Sup>+</Sup>接触区(6)、P阱(7)、N<Sup>‑</S...
王策郭清盛况王妹芳
文献传递
一种具有热电解耦功能的功率器件动态特性测试电路及其测试方法
本发明提供了一种具有热电解耦功能的功率器件动态特性测试电路，它包括：第一功率开关管S<Sub>1</Sub>、第二功率开关管S<Sub>2</Sub>、第一驱动电路、第二驱动电路、第三功率开关管S<Sub>3</Sub>...
罗皓泽李武华郭清盛况
文献传递
一种新型功率半导体器件模块
本发明提供了一种散热效率高的新型的功率模块的设计方案，该模块包括模块外壳，在所述模块外壳内从下至上设置有衬底、直接覆铜层、至少两个半导体芯片以及模块外壳与衬底、直接覆铜层和半导体芯片之间填充的绝缘冷却液，所述绝缘冷却液可...
盛况陈思哲汪涛郭清谢刚
文献传递
一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件
本发明提出一种增强体二极管的碳化硅功率MOSFET器件，元胞在第一表面为多边形或圆形布局设计，结构包含衬底、源极和漏极，还包括第一N型碳化硅区域，位于衬底上方；与所述第一N型碳化硅区域相邻的JFET区域；第一P型碳化硅区...
盛况任娜郭清朱郑允
文献传递
一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法及电路
本发明公开了一种集成电路衬底噪声的分布式抵消方法，对噪声进行分布式抵消的步骤包括先采集数字电路产生的噪声信号再将噪声信号输入反相运算放大器进行反相放大得到噪声抵消信号再将噪声抵消信号并行的注入到硅衬底上的至少三个噪声注入...
梁国韩雁刘晓鹏郭清
文献传递
全选 清除 导出
共10页<12345678910>
聚类工具0