代鹏超
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河北省应用基础研究计划河北省教育厅科学技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学电气工程更多>>
- 氧气气氛下退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响
- 2011年
- 利用溶胶凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了(～70nm)的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,采用磁控溅射法构建了Pt/BST/Pt/TiO2/SiO2/Si(001)电容器,研究了在氧气气氛中不同退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响.结果发现,650℃退火样品具有良好的结晶质量和介电性能.650℃退火样品在电场强度为200kV/cm时漏电流密度为3.06×10-6 A/cm2.
- 娄建忠李俊颖代鹏超孙杰刘保亭
- 关键词：BST薄膜溶胶凝胶
- 外延CeO_2高k栅介质层的结构及介电性能被引量：1
- 2011年
- 利用脉冲激光沉积两步生长法在Si(111)衬底上制备了厚度为10～40 nm的外延CeO2薄膜,构建了Pt/CeO2/Si MOS结构,研究了CeO2薄膜的界面及介电性能。实验发现,界面处存在的电荷对MOS结构C-V特性的测量有较大影响,采用两步生长法制备的外延CeO2薄膜在保持较大介电常数的同时有效降低了界面态密度。由等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出CeO2薄膜的介电常数为37;根据Hill-Coleman法计算出CeO2薄膜界面态密度为1012量级。
- 娄建忠代鹏超李曼赵冬月刘保亭
- 关键词：介电性能
- 非晶Ti-Al过渡层对Pt/Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3/Pt电容器结构和性能的影响被引量：4
- 2011年
- 应用磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si(001)衬底上制备5 nm厚超薄非晶Ti-Al薄膜作为过渡层,利用脉冲激光沉积法制备Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜,构造了Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt(Pt/BST/Pt)和Pt/Ti-Al/Ba0.6Sr0.4TiO3/Ti-Al/Pt(Pt/Ti-Al/BST/Ti-Al/Pt)结构的电容器,研究了Ti-Al过渡层对Pt/BST/Pt电容器结构及其性能的影响。实验表明,过渡层的引入有效地阻止了Pt电极和BST薄膜的互扩散,降低了BST薄膜氧空位的浓度,提高了铁电电容器的介电性能。当测试频率为1 kHz、直流偏压为0 V时,介电常数由引入过渡层前的530增大到引入后的601,介电损耗则由0.09减小到0.03。而且过渡层的引入有效地降低了BST薄膜的漏电流,使正负向漏电流趋于对称,在测试电压为5 V时,漏电流密度由3.8×10-5A/cm2减小到8.25×10-6A/cm2。
- 赵冬月刘保亭郭哲李曼陈剑辉代鹏超韦梦祎
- 关键词：BST薄膜过渡层脉冲激光沉积
- 钛酸锶钡和氧化铈薄膜的制备及物理性能表征
- 采用两步生长法，利用脉冲激光沉积法在Si(111)衬底上制备了10～40nm的外延CeO2薄膜，采用磁控溅射法构建了Pt/CeO2/SiMOS结构，进一步表征了CeO2薄膜的界面和介电性能，根据等效氧化物厚度-物理厚度曲...
- 代鹏超
- 关键词：钛酸锶钡氧化铈导电机制
