陈剑辉
- 作品数：122 被引量：31H指数：4
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：电气工程理学电子电信一般工业技术更多>>
- 叠层电池的制备方法、叠层电池及光伏设备
- 本申请提供了一种叠层电池制备方法、叠层电池及光伏设备，该制备方法包括：制备多个电池，并将多个电池层叠设置呈叠瓦状。该电池包括底电池以及顶电池，该底电池包括两个相对的长边以及位于两个长边之间的主体部分，且底电池的宽长比的取...
- 陈剑辉杨芮陈兵兵
- 一种发热织物及应用发热织物制备布艺制品的方法
- 本申请公开了一种发热织物及应用发热织物制备布艺制品的方法，包括：织物本体和涂覆在织物本体表面的导电发热材料层，以及设置在导电发热材料层表面的电源接口；导电发热材料层为具备导电性和导热性的涂料层，电源接口与电源连接，电源用...
- 陈剑辉袁晓阳李梦琪杨德华
- 一种光伏建筑板材以及建筑物
- 本申请公开了一种光伏建筑板材以及建筑物，光伏建筑板材包括相对设置的第一基板和第二基板，第一基板和第二基板之间设置有光伏阵列，且在第二基板的表面上设置有第一储能层。其中，第一储能层能够在光源激发下储存光能，在激发停止后，能...
- 陈剑辉李凯玥马波波张文倩郭静张旭宁
- 一种太阳能电池组件及其制备方法
- 本发明提供了一种太阳能电池组件及其制备方法，由于半片太阳能电池组中的半片太阳能电池串焊后，相邻两片半片太阳能电池之间具有间距，且放置位置是固定的，显然串焊后的半片太阳能电池的切割面对应的基础胶膜位置也是可以确定下来的，基...
- 陈剑辉赵梓琦张旭宁陈兵兵高青郭静
- 一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法
- 本发明提供了一种超薄晶体硅双面太阳能电池的制备方法。本发明首先采用HF、H<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>和添加剂的混合溶液使多晶硅基片在18～25℃下经2000～2300s减薄至90‑120μm，减薄...
- 何仁陈静伟陈剑辉黄志平宋登元许颖
- 文献传递
- 一种叠层太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种叠层太阳电池及其制备方法，涉及光伏技术领域，该叠层太阳电池具有CNT:SAM的多功能中间复合层，其中CNT表示碳纳米管，SAM表示具有钝化硅表面缺陷同时可以传输p型或n型载流子的自组装分子，例如2PACz...
- 陈剑辉陈兵兵李梦琪张旭宁杨德华
- 一种有机太阳能电池组件及其制造方法
- 本申请公开了一种有机太阳能电池组件及其制造方法，涉及太阳能发电技术领域，有机太阳能电池组件包括：至少一个电池串，电池串包括多个依次串联的有机太阳能电池；有机太阳能电池包括：透光导电衬底；设置在透光导电衬底上的有机光电转换...
- 张旭宁张照明陈剑辉杨芮
- n型晶体硅太阳电池及其制备方法
- 本发明提供了一种n型晶体硅太阳电池及其制备方法。所述n型晶体硅太阳电池的背场是通过n型晶体硅和n型晶体硅背面的低功函材料来实现的；低功函材料为低功函金属或低功函合金；低功函金属可以为镁、锗、锂、钕或钙等，低功函合金可以为...
- 麦耀华陈兵兵葛坤鹏沈艳娇许颖陈剑辉
- 文献传递
- 含Ni-Al阻挡层硅基BiFe_(0.95)Mn_(0.05)O_3铁电电容器的结构及物理性能被引量：4
- 2011年
- 以Ni-Al为阻挡层,在Si衬底上构架了SrRuO3(SRO)/BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)/SRO异质结电容器。X射线衍射(XRD)分析表明:Ni-Al阻挡层为非晶结构,BFMO薄膜为具有良好结晶质量的多晶结构。在5 kHz测试频率下,SRO/BFMO/SRO电容器呈现饱和的电滞回线。实验发现,SRO/BFMO/SRO铁电电容器具有良好的抗疲劳性能。漏电机制研究表明,外加电场小于210 kV/cm时,SRO/BFMO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在电场大于210kV/cm时,满足空间电荷限流传导机制。
- 陈剑辉刘保亭魏大勇王宽冒崔永亮王英龙赵庆勋韦梦袆
- 关键词：NI-AL阻挡层
- 退火工艺对含Ti-Al阻挡层的硅基Pb(Zr_(0.4),Ti_(0.6))O_3铁电电容器结构和性能影响的研究被引量：2
- 2010年
- 应用非晶的Ti-Al薄膜为导电阻挡层,采用射频磁控溅射法和溶胶-凝胶法在Si衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3/Ti-Al/Si(LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si)异质结,研究了550℃常规退火(CTA)和快速退火(RTA)工艺对LSCO/PZT/LSCO/Ti-Al/Si结构和性能的影响。实验发现非晶Ti-Al薄膜在经过不同退火工艺后仍具有非晶结构,快速退火6min的样品具有较好的物理性能。在418kV/cm的外加电场下,LSCO/PZT/LSCO电容器的剩余极化强度和矫顽电场强度分别为22μC/cm2和83kV/cm。LSCO/PZT/LSCO电容器的漏电行为不依赖于退火工艺,当电场强度低于46.7kV/cm时为欧姆导电,高于46.7kV/cm时为肖特基导电机制。
- 郭颖楠刘保亭赵敬伟王宽冒王玉强孙杰陈剑辉
- 关键词：退火工艺PZT磁控溅射法溶胶-凝胶法
