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InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法: 本发明公开了属于光电器件制备技术领域的一种InAs/GaAsSb量子点的分子束外延生长方法。具体采用先制备锑含量低GaAsSb合金薄层，然后生长InAs量子点的分子束外延生长工艺制备应力自组装GaAs基InAs/GaAs...; 李美成赵宇熊敏; 文献传递

缓冲层对InSb/GaAs薄膜质量的影响被引量：3: 2007年; InSb是制作3～5 μm红外探测器的重要材料.在GaAs衬底上外延生长InSb,存在的主要问题在于两种材料间14.6%的晶格失配度,会引入较大的表面粗糙度以及位错密度,使外延材料的结构和电学性能均会受到不同程度的影响.通过系列实验,研究了在生长过程中缓冲层对薄膜质量的影响.利用高能电子衍射仪（RHHEED）得到了合适的生长速率和Ⅴ/Ⅲ比,研究了异质外延InSb薄膜生长中低温InSb缓冲层对材料生长质量以及不同外延厚度对材料电学性质的影响.采用原子力显微镜（AFM）、透射电子显微镜（TEM）、X射线双晶衍射（DCXRD）等方法研究了InSb/GaAs薄膜的表面形貌、界面特性以及结晶质量.通过生长合适厚度的缓冲层,获得了室温下DCXRD半高峰宽为172＂,77 K下迁移率为64 300 cm^2·V^-1·s^-1的InSb外延层.; 李占国刘国军李梅尤明慧熊敏李林张宝顺王晓华王勇; 关键词：分子束外延缓冲层表面形貌透射电子显微镜

“一”字型保偏光纤热应力致双折射分析被引量：8: 2008年; 采用实验观测与理论模拟相结合的方法对"一"字型保偏光纤进行了研究。对保偏光纤的应力区与芯区的形状进行了观测,获得了它们的实际几何形状。在此基础上运用有限元方法分析了"一"字型保偏光纤内的热应力分布,解释了光纤芯区形变的原因,得到了由于热应力引起的光纤横截面的双折射的分布,并与相同应力区厚度的熊猫型保偏光纤进行了对比。实验结果表明,"一"字型保偏光纤采用熊猫型保偏光纤1/5的应力区面积便能获得较高的应力双折射。同时,通过研究径向压应力与温度变化对"一"字型保偏光纤应力双折射的影响,得到了光纤能稳定工作的压应力与温度环境。; 李美成熊敏刘礼华王洪磊萧天鹏梁乐天; 关键词：保偏光纤有限元法热应力双折射

分子束外延InAs量子点的RHEED实时原位分析被引量：3: 2008年; 介绍了利用反射式高能电子衍射(RHEED)方法在自组装InAs量子点制备过程中进行结构分析的理论研究与实验工作的最新进展。从反射式高能电子衍射在InAs量子点临界转变状态测定、量子点表面取向、量子点应力分布测定、量子点形核长大动力学过程研究等方面的应用,可以看出RHEED在InAs量子点形成过程中对多种结构特征的原位分析具有突出优势。反射式高能电子衍射仪作为分子束外延系统中的标准配置,已成为一种对InAs量子点微观结构进行分析的简易而理想的分析测试工具。随着反射式高能电子衍射以及衍射理论的进一步发展,必将促进InAs量子点结构的精确表征水平的提高,进而实现更加理想结构的InAs量子点的制备及其应用。; 李美成王禄熊敏刘景民赵连城; 关键词：分子束外延 INAS量子点

InSb缓冲层的波纹结构及其对InSb/GaAs外延薄膜电学性能的影响: 2011年; 采用分子束外延方法在GaAs（001）衬底上生长了InSb外延薄膜,其中采用＂二步法＂制备了不同厚度的低温InSb缓冲层结构。利用Mullins扩散模型对缓冲层的生长过程进行了具体演化。结合扩散模型的计算结果,通过原子力显微镜以及透射电子显微镜研究了InSb缓冲层表面的波纹结构对后续InSb薄膜生长的影响规律。研究表明,适当的缓冲层厚度有利于InSb薄膜的外延生长,缓冲层厚度超过60 nm后,InSb薄膜表面的粗糙度明显增加,引人了大量位错导致外延薄膜的电性能下降,采用＂二步法＂生长30~50 nm厚的InSb缓冲层比较合适。; 熊敏李美成; 关键词：INSB薄膜分子束外延

InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法: 本发明公开了属于平面红外探测器材料的电子结构设计技术领域的一种具有M型势垒层的一种InAs/GaSb超晶格电子结构的设计方法。该InAs/GaSb超晶格电子结构为具有的InAs/GaSb超晶格电子结构的焦平面红外探测器的...; 李美成熊敏; 文献传递

半导体异质结界面处Sb/As交换反应研究被引量：1: 2009年; 利用分子束外延(MBE)技术,在GaAs衬底上生长了高质量的GaAs/GaAsSb超晶格,并通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术对Sb/As交换反应进行研究。实验表明,随着衬底温度的升高,Sb解吸附速度增加,在Sb束流作用下形成的GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量下降。而Sb束流大小和暴露在Sb束流中的时间对GaAs/GaAsSb超晶格中的Sb含量影响很小。这说明Sb与GaAs中的As原子的交换反应仅发生在GaAs表层,Sb原子在GaAs中的扩散距离很短。; 邱永鑫李美成熊敏张宝顺刘国军赵连城; 关键词：分子束外延异质结超晶格

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熊敏