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离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究: 2006年; 离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^14ion／cm^2）和用无杂质空位扩散（PECVD 200nm SiO2电介质膜）相结合的方法来实现InGaAsP／InP多量子阱的混合（高纯氮保护下进行快速热退火，退火温度为780℃，退火时间为30s）。同时，和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现，先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小，而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明，离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时，SiO2中的缺陷也起到促进作用。; 陈杰杨格丹王永晨赵杰; 关键词：量子阱混合

磷离子注入诱导InGaAsP//InP量子阱结构混合的研究: 光子集成/(PIC/)及光电集成/(OEIC/)器件的制备中，量子阱混合技术/(QWI/)，作为一种十分有效的单片集成工艺手段，以其工艺简单、又能有效地调整量子阱材料的带隙而成为人们研究的热点。量子阱混合技术主要包括以下...; 陈杰; 关键词：量子阱混合光致发光谱透射电子显微镜; 文献传递

磷离子注入诱导InGaAsP/InP双量子阱混合的研究: 2005年; 本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合。注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2。注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒。实验结果表明,小剂量注入(～1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关。大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰。; 陈杰王永晨赵杰韩德俊; 关键词：离子注入量子阱混合

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陈杰