杨格丹
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 离子注入结合无杂质空位诱导量子阱混合的研究
- 2006年
- 离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用磷离子注入（注入能量为160keV，剂量分别为1×10^11，1×10^12，1×10^13，3×10^13，7×10^14ion／cm^2）和用无杂质空位扩散（PECVD 200nm SiO2电介质膜）相结合的方法来实现InGaAsP／InP多量子阱的混合（高纯氮保护下进行快速热退火，退火温度为780℃，退火时间为30s）。同时，和相同条件下纯磷离子注入诱导混和结果进行了比较。试验发现，先用PECVD镀200nm的SiO2电介质膜再进行磷离子注入的方法造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法小，而先进行磷离子注入在用覆盖200nm的SiO2电介质膜造成的带隙蓝移值比在同样条件下纯离子注入方法稍大。说明，离子注入造成的缺陷比介质膜SiO2中的缺陷多。带隙兰移主要由离子注入引起。但用两种方法结合时，SiO2中的缺陷也起到促进作用。
- 陈杰杨格丹王永晨赵杰
- 关键词：量子阱混合
- 一种增强量子阱混合的新技术被引量：1
- 2004年
- 采用PECVD技术在1.55μm InGaAsP-InP MQW激光器结构的材料上沉积SiO2薄膜和含磷组分的SiO(P)电介质薄膜,经过快速热退火(RTA)后,样品的PL谱测试表明:覆盖有普通SiO2薄膜的样品蓝移量在5-74nm,而覆盖SiO(P)薄膜的样品呈现出341nm的大蓝移量。对SiO(P)薄膜的样品经红外光谱及XPS谱分析后证明,该膜的结构为SiOP,存在Si-O和P-O键,Si和P为正价键,其结合能分别为103.6eV和134.6eV。在退火过程中SiOP膜存在P原子的外扩散,它强烈地影响量子阱混合的效果,该SiOP膜明显区别于SiO2电介质薄膜。
- 杨格丹王永晨赵杰车经国张淑云
- 关键词：MQWSIO2薄膜激光器结构PL谱蓝移
- PECVD沉积SiOP电介质膜及其XPS研究被引量：2
- 2004年
- 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术沉积含P电介质薄膜,用于无杂质空穴扩散(IFVD)技术中InGaAsP InPMQW结构中新的包封层,替代传统的SiO2层。经X射线光电子谱(XPS)研究证明,该膜就是SiOP结构。快速退火(RTA)研究表明,该膜结构基本稳定,但膜中P原子存在明显扩散,它增强了InPMQW结构中In原子的外扩,却抑制了Ga原子的外扩。这些都明显区别于常规SiO2膜的性质。
- 王永晨杨格丹赵杰车经国张淑云
- 关键词：SIO2膜MQW等离子体增强化学气相沉积X射线光电子谱
- SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响
- 2003年
- 用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜—SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μmInGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在SiO和PO键,P(2p)态键能为134.6eV.PL测量首次获得223.6meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.
- 王永晨杨格丹赵杰李彦刘明成
- 关键词：PECVD光纤通讯
- 高温稳定的超硬纳米多层膜微观结构设计与合成
- 李德军蔡强邢冬梅刘谦祥刘瑞安刘峰杨格丹王晓伟ChungYWChenY王明霞张晶晶张晶晶杨谨
- 该课题利用直流和射频磁控溅射技术，以及离子束辅助沉积技术完成了以锆、钨、钛、铬、钽、铌、钒等过渡金属氮化物、碳化物、硼化物(包括锆铝合金氮化物)等为主要单质薄膜之间合适匹配的纳米多层膜体系的设计合成工作。对于过渡金属硼化...
- 关键词：
- 关键词：纳米多层膜磁控溅射离子束辅助沉积
