您的位置： 专家智库 > >

徐鹏飞

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇电极
  • 2篇调制
  • 2篇栅介质
  • 2篇量子点
  • 2篇量子点激光器
  • 2篇金刚石
  • 2篇晶体管
  • 2篇耗尽型
  • 2篇刚石
  • 2篇本征
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇调制速率
  • 1篇镀膜
  • 1篇直接调制
  • 1篇速率
  • 1篇通信
  • 1篇通信网

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇徐鹏飞
  • 3篇杨涛
  • 2篇季海铭
  • 2篇王占国
  • 2篇金鹏
  • 1篇杨晓光

传媒

  • 1篇黑龙江大学工...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2021
  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
全选 清除 导出
排序方式：
提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法
一种提高半导体激光器温度稳定性的腔面镀膜方法，包括如下步骤：步骤1：取一条解理后的半导体激光器芯片；步骤2：通过在所述半导体激光器芯片的后端面上交替沉积光学厚度为λ/4的高低折射率材料，在波长-反射率曲线上得到随波长红移...
徐鹏飞杨涛
文献传递
分子束外延生长高速直接调制1·3μmInAs/GaAs量子点激光器
2011年
介绍了分子束外延生长高速直接调制1．3μmInAs／GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究，外延并制作了有源区包含5层InAs／GaAs量子点的1．3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明，条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA，激射中心波长位于1293nm，并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明，激光器在25℃下可以实现12Gb／s眼图的清晰张开。
杨涛季海铭徐鹏飞
关键词：直接调制量子点激光器分子束外延
垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法
一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏...
徐鹏飞冯梦阳金鹏周广迪霍晓迪屈鹏霏王占国
文献传递
新一代高速光通信网络用低成本、低功耗、高性能GaAs基1.3微米量子点激光器的研究
与InP基量子阱激光器相比,GaAs基1.3微米InAs量子点激光器具有低成本、低功耗、高温度稳定性、可高速直调等优势,是下一代高速光通信局域网光源的有力候选者之一。本文针对实现这一通讯用高性能激光器,开展了相关的材料生...
季海铭徐鹏飞谷永先杨晓光杨涛
关键词：量子点激光器调制速率
文献传递
垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法
一种垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管及制备方法，该垂直结构的金刚石深耗尽型场效应晶体管包括：本征金刚石衬底；P+型漏区，材料为P+型掺杂金刚石，形成于本征金刚石衬底上；P型漂移区，材料为P型掺杂金刚石，形成于P+型漏...
徐鹏飞冯梦阳金鹏周广迪霍晓迪屈鹏霏王占国
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0