季海铭
- 作品数：31 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信金属学及工艺理学自动化与计算机技术更多>>
- 分子束外延生长高速直接调制1·3μmInAs/GaAs量子点激光器
- 2011年
- 介绍了分子束外延生长高速直接调制1．3μmInAs／GaAs量子点激光器。通过对量子点的生长温度和堆叠层数的优化研究，外延并制作了有源区包含5层InAs／GaAs量子点的1．3μm脊型波导边发射激光器。输出特性测试结果表明，条宽4μm、腔长600μm的量子点激光器室温阈值电流仅为5mA，激射中心波长位于1293nm，并且可以在10-100℃范同内实现连续激射。大信号调制眼图测试表明，激光器在25℃下可以实现12Gb／s眼图的清晰张开。
- 杨涛季海铭徐鹏飞
- 关键词：直接调制量子点激光器分子束外延
- 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生...
- 罗帅季海铭杨涛
- 分子束外延GaAs/Si(001)材料反相畴的湮灭机理被引量：3
- 2022年
- 从第一性原理出发,计算了不同温度下GaAs材料中沿{110}、{111}和{112}面传播的反相畴(APD)形成能,探索了反相畴的湮灭机理。结果表明,当温度达到660 K以上时,APD最稳定的传播晶面从{110}转变到{112}。通过分子束外延(MBE)技术,在无偏角Si(001)衬底上生长了1.4μm厚的GaAs外延层。测试结果表明,随着生长温度的升高,APD密度降低,不同传播面的湮灭现象增加。反相畴在较高的生长温度下更易于扭折到{112}面,从而与其他反相畴相遇并发生湮灭。该结果对全MBE生长高性能无偏角硅基激光器研究具有重要意义。
- 肖春阳王俊李家琛王海静贾艳星马博杰刘倬良明蕊白一鸣黄永清任晓敏罗帅季海铭
- 关键词：第一性原理分子束外延反相畴
- 高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器
- 为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为132...
- 季海铭曹玉莲杨涛马文全曹青陈良惠
- 关键词：量子点P型掺杂量子点激光器光通信温度特性
- 文献传递
- 制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上外延生长一层磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上沉积晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上外延生...
- 罗帅季海铭杨涛
- 文献传递
- 基于MOCVD高性能InP基2~3μm量子阱激光器
- 我们报道利用金属有机化学气相沉积技术制备高性能的2～3 μm InAs/InGaAs/InP 量子阱激光器。
- 罗帅季海铭高凤许锋杨晓光王占国杨涛
- 关键词：金属有机化学气相沉积激光器
- 高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法
- 本发明一种高性能铟砷/镓砷量子点材料有源区的外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底上生长一层缓冲层；步骤3：在缓冲层上生长铟砷量子点；步骤4：以低于铟砷量子点生长温度的条件，在铟砷量...
- 杨涛季海铭
- 文献传递
- 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法
- 一种制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法，包括如下步骤：步骤1：选择一磷化铟衬底；步骤2：在该磷化铟衬底上生长磷化铟缓冲层；步骤3：在磷化铟缓冲层上生长晶格匹配的铟镓砷磷薄层；步骤4：在铟镓砷磷薄层上制备多周...
- 杨涛高凤罗帅季海铭
- 文献传递
- MOCVD生长高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点
- 高质量的叠层结构量子点有源区材料是制作高性能量子点激光器的关键。本文报告采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备高质量InAs/InGaAsP/InP叠层结构量子点。通过采用两步盖层生长InGaAsP隔离层，以及对In...
- 罗帅季海铭杨涛
- 关键词：INASINP量子点MOCVD
- 基于弯曲波导结构的宽带可调谐InAs/InP量子点激光器
- 高凤罗帅季海铭杨涛
